{"id":101593,"date":"2010-11-06T00:00:00","date_gmt":"2010-11-06T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/modelado-de-estructuras-schottky-y-de-transistores-mosfet-con-contactos-de-fuente-y-drenador-metalicos-para-aplicaciones-de-alta-frecuencia\/"},"modified":"2010-11-06T00:00:00","modified_gmt":"2010-11-06T00:00:00","slug":"modelado-de-estructuras-schottky-y-de-transistores-mosfet-con-contactos-de-fuente-y-drenador-metalicos-para-aplicaciones-de-alta-frecuencia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/transporte-de-electrones\/modelado-de-estructuras-schottky-y-de-transistores-mosfet-con-contactos-de-fuente-y-drenador-metalicos-para-aplicaciones-de-alta-frecuencia\/","title":{"rendered":"Modelado de estructuras schottky y de transistores mosfet con contactos de fuente y drenador met\u00e1licos para aplicaciones de alta frecuencia"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Elena Pascual Corral <\/strong><\/h2>\n<p>En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional monte carlo de dispositivos a fin de investigar los procesos de transporte de carga y el ruido electr\u00f3nico a alta frecuencia en transistores de efecto de campo soi-mosfet con contactos de fuente y drenador met\u00e1licos (schottky barrier mosfet o sb-mosfet). La gran importancia de los sb-mosfets radica en que se proponen como posible soluci\u00f3n a algunos de los problemas asociados al escalado a dimensiones nanom\u00e9tricas de los dispositivos mosfet, permitiendo una notable reducci\u00f3n de las resistencias de acceso al canal. previamente se ha caracterizado el transporte a trav\u00e9s de contactos metal-semiconductor. Para ello se han tenido en cuenta en la simulaci\u00f3n diversos efectos caracter\u00edsticos de estas estructuras (emisi\u00f3n termoi\u00f3nica, efecto t\u00fanel cu\u00e1ntico y efecto schottky). Para el tratamiento del efecto t\u00fanel cu\u00e1ntico se ha empleado un algoritmo basado en la aproximaci\u00f3n wkb. Hemos simulado diodos schottky y diodos schottky dobles (back-to-back) comparando con resultados experimentales, verificando as\u00ed el correcto funcionamiento del simulador. el siguiente paso ha sido el estudio del transistor sb-mosfet mediante nuestro simulador monte carlo bidimensional. Se ha estudiado el efecto de variar algunos par\u00e1metros caracter\u00edsticos de la arquitectura, como son altura de barrera, la longitud de underlap (separaci\u00f3n del contacto de puerta con los contactos de fuente y drenador), o la longitud de puerta (dado su inter\u00e9s desde el punto de vista tecnol\u00f3gico). Se ha efectuado un an\u00e1lisis en profundidad de la variaci\u00f3n de estos par\u00e1metros tanto desde el punto de vista de las caracter\u00edsticas est\u00e1ticas como din\u00e1micas y de ruido a alta frecuencia, junto con la relaci\u00f3n entre las figuras de m\u00e9rito y las principales magnitudes internas del transporte en los dispositivos. De este modo hemos efectuado un an\u00e1lisis de las posibilidades de optimizaci\u00f3n de los sbmosfets, de especial inter\u00e9s para el futuro desarrollo aplicado de esta tecnolog\u00eda.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Modelado de estructuras schottky y de transistores mosfet con contactos de fuente y drenador met\u00e1licos para aplicaciones de alta frecuencia<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Modelado de estructuras schottky y de transistores mosfet con contactos de fuente y drenador met\u00e1licos para aplicaciones de alta frecuencia <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Elena Pascual Corral <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Salamanca<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 11\/06\/2010<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Ra\u00fal Rengel Est\u00e9vez<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: tom\u00e1s Gonz\u00e1lez s\u00e1nchez <\/li>\n<li>Antonio Garcia loureiro (vocal)<\/li>\n<li>david Jimenez jimenez (vocal)<\/li>\n<li>Andr\u00e9s Godoy medina (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Elena Pascual Corral En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional monte carlo de dispositivos a fin 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