{"id":107485,"date":"2018-03-11T10:31:49","date_gmt":"2018-03-11T10:31:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/desarrollo-de-mejoras-de-la-tecnica-c-afm-para-la-caracterizacion-de-dielectricos-en-la-nanoescala-aplicacion-en-stacks-de-puerta-de-dispositivos-mos-basados-en-hafnio\/"},"modified":"2018-03-11T10:31:49","modified_gmt":"2018-03-11T10:31:49","slug":"desarrollo-de-mejoras-de-la-tecnica-c-afm-para-la-caracterizacion-de-dielectricos-en-la-nanoescala-aplicacion-en-stacks-de-puerta-de-dispositivos-mos-basados-en-hafnio","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/electronica\/desarrollo-de-mejoras-de-la-tecnica-c-afm-para-la-caracterizacion-de-dielectricos-en-la-nanoescala-aplicacion-en-stacks-de-puerta-de-dispositivos-mos-basados-en-hafnio\/","title":{"rendered":"Desarrollo de mejoras de la t\u00e9cnica c-afm para la caracterizaci\u00f3n de diel\u00e9ctricos en la nanoescala: aplicaci\u00f3n  en stacks de puerta de dispositivos mos basados en hafnio."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> L\u00eddia Aguilera Mart\u00ednez <\/strong><\/h2>\n<p>La presente tesis doctoral pretende, por un lado, mejorar la t\u00e9cnica cafm, superando las limitaciones actuales para la caracterizaci\u00f3n y estudio de las propiedades el\u00e9ctricas de los materiales high-k y, por otro, su aplicaci\u00f3n al estudio de dichas propiedades y de la fiabilidad de materiales high-k basados en hafnio.  en el primer cap\u00edtulo se revisan brevemente los principios de funcionamiento de las capacidades mos, los cuales son la base para entender el dispositivo mosfet, del que se expondr\u00e1 su principio de funcionamiento y los diferentes reg\u00edmenes en que trabaja. Tambi\u00e9n se presentan los principales conceptos asociados a la fiabilidad de los dispositivos y las t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n que se utilizan actualmente. Por \u00faltimo, se revisar\u00e1 el estado del arte sobre el comportamiento el\u00e9ctrico y los mecanismos de degradaci\u00f3n y ruptura en los materiales high-k. En el segundo cap\u00edtulo se har\u00e1 una introducci\u00f3n a las t\u00e9cnicas de microscop\u00eda de campo cercano (scanning probe microscopy, spm), y concretamente en la microscop\u00eda de fuerza at\u00f3mica o afm, los diferentes modos de operaci\u00f3n de estos microscopios ya las caracter\u00edsticas de las puntas que se utilizan para realizar las medidas. En el tercer cap\u00edtulo se presentan los resultados obtenidos de la caracterizaci\u00f3n de estructuras formadas por stacks de hfo2\/sio2, mediante el ec-afm, previamente desarrollado en el seno del grupo, en las que se ha evaluado el efecto del estr\u00e9s en cada una de las capas. En el cuarto cap\u00edtulo se describe el dise\u00f1o e implementaci\u00f3n de un conversor iv logar\u00edtmico dise\u00f1ado con el objetivo de ampliar el rango din\u00e1mico para la medida de corriente del c-afm. El logc-afm desarrollado permitir\u00e1 analizar cuantitativamente spots de ruptura en diel\u00e9ctricos de puerta inducidos con el propio c-afm. En el quinto cap\u00edtulo se presenta un nuevo set up de c-afm, dise\u00f1ado e implementado con el objetivo de trabajar en condiciones de operaci\u00f3n en vac\u00edo, y se describir\u00e1 su configuraci\u00f3n experimental. Con este nuevo set up se estudiar\u00e1 el efecto del ambiente en la medida de las caracter\u00edsticas de los diel\u00e9ctricos en los experimentos con c-afm. Por otra parte, se presentar\u00e1n los resultados obtenidos con el cafm de vac\u00edo en la caracterizaci\u00f3n de un conjunto de muestras, basadas en un material high-k, espec\u00edficamente dise\u00f1adas y fabricadas para estudiar diferentes aspectos cr\u00edticos associdos al proceso de fabricaci\u00f3n cmos.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Desarrollo de mejoras de la t\u00e9cnica c-afm para la caracterizaci\u00f3n de diel\u00e9ctricos en la nanoescala: aplicaci\u00f3n  en stacks de puerta de dispositivos mos basados en hafnio.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Desarrollo de mejoras de la t\u00e9cnica c-afm para la caracterizaci\u00f3n de diel\u00e9ctricos en la nanoescala: aplicaci\u00f3n  en stacks de puerta de dispositivos mos basados en hafnio. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 L\u00eddia Aguilera Mart\u00ednez <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Aut\u00f3noma de barcelona<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 21\/03\/2011<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Marc Porti Pujal<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: ram\u00f3n Alcubilla gonz\u00e1lez <\/li>\n<li>francesca Campabadal segura (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de L\u00eddia Aguilera Mart\u00ednez La presente tesis doctoral pretende, por un lado, mejorar la t\u00e9cnica cafm, superando las 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