{"id":109007,"date":"2011-09-06T00:00:00","date_gmt":"2011-09-06T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/preparacion-y-caracterizacion-de-capas-finas-de-semiconductores-ternarios-de-zno-mediante-electrodeposicion\/"},"modified":"2011-09-06T00:00:00","modified_gmt":"2011-09-06T00:00:00","slug":"preparacion-y-caracterizacion-de-capas-finas-de-semiconductores-ternarios-de-zno-mediante-electrodeposicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/semiconductores\/preparacion-y-caracterizacion-de-capas-finas-de-semiconductores-ternarios-de-zno-mediante-electrodeposicion\/","title":{"rendered":"Preparaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de capas finas de semiconductores ternarios de zno mediante electrodeposici\u00f3n"},"content":{"rendered":"

Tesis doctoral de Mar\u00eda Dolores Tortosa Jorques <\/strong><\/h2>\n

T\u00edtulo: preparaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de capas finas de semiconductores ternarios de zno mediante electrodeposici\u00f3n autor: m\u00aa dolores tortosa jorques directores: bernab\u00e9 mar\u00ed soucase, miguel alfonso mollar garc\u00eda universitat polit\u00e9cnica de val\u00e9ncia centro de realizaci\u00f3n: departamento de f\u00edsica aplicada resumen el objetivo de la presente tesis es la s\u00edntesis de materiales ternarios basados en \u00f3xido de zinc (zno), mediante la t\u00e9cnica de electrodeposici\u00f3n. Por primera vez, se han sintetizado los compuestos ternarios de zn1-xcdxo, zn1-xcoxo y zn1-xmnxo en forma de capas finas mediante este procedimiento electroqu\u00edmico. Los materiales sintetizados presentan interesantes aplicaciones optoelectr\u00f3nicas, fotovoltaicas y magn\u00e9ticas. la electrodeposici\u00f3n se ha realizado en una celda electroqu\u00edmica de tres electrodos. El electrolito empleado ha sido dimetilsulf\u00f3xido (dmso) con una disoluci\u00f3n de kclo4 0.1 m. Las condiciones \u00f3ptimas definidas a partir del estudio voltam\u00e9trico son: 90\u00c2\u00bac de temperatura y un potencial de -0.9v. Los precursores de la disoluci\u00f3n fueron zncl2, cdcl2, cocl2 y mncl2 disueltos en presencia de ox\u00edgeno en saturaci\u00f3n. los materiales depositados se han estudiado mediante diversas t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n: la difracci\u00f3n de rayos x y la espectroscopia de dispersi\u00f3n raman para evaluar el tipo de estructura cristalina y la calidad de las muestras depositadas. \tla espectroscopia de energ\u00eda dispersiva eds para identificar la composici\u00f3n qu\u00edmica de las pel\u00edculas. \tla microscop\u00eda electr\u00f3nica de barrido para estudiar la morfolog\u00eda. \tla microscopia de fuerza at\u00f3mica para el estudio de las caracter\u00edsticas de la superficie. tambi\u00e9n se han realizado diferentes medidas de caracterizaci\u00f3n \u00f3ptica y magn\u00e9tica: \tla transmitancia para estudiar las propiedades \u00f3pticas de las capas depositadas. \tla susceptibilidad magn\u00e9tica para estudiar la respuesta magn\u00e9tica de los materiales. los resultados muestran la s\u00edntesis de muestras de capas finas de los compuestos zn1-xcdxo, zn1-xcoxo y zn1-xmnxo. En funci\u00f3n de la concentraci\u00f3n del segundo metal (cd, co, mn) se observan modificaciones en la estructura cristalina. para los tres materiales, cuando la concentraciones de iones cd+2, co+2 y mn+2 son peque\u00f1as, se obtienen capas finas donde se produce la sustituci\u00f3n de iones zn+2 por los respectivos iones de los metales, en la red cristalina del zno, manteniendo la estructura wurtzita del zno, con una direcci\u00f3n principal de crecimiento (002) aunque deformando la red. La estructura wurtzita se mantiene hasta concentraciones de un 30% de cd en zn1-xcdxo (x=0.30), un 20% de co en zn1-xcoxo (x=0.2) y un 10% de mn en zn1-xmnxo (x=0.1) definidos como l\u00edmites de saturaci\u00f3n de la red para cada compuesto. para concentraciones mayores del metal en la capa, se forman estructuras espinela en el caso de los compuestos zn1-xcoxo y zn1-xmnxo que se corresponden aproximadamente con las espinelas znco2o4 y znmn2o4 respectivamente. en el caso del zncdo, concentraciones mayores de cd en disoluci\u00f3n (una relaci\u00f3n de 1:40 respecto de la concentraci\u00f3n de zn) dan lugar a \u00f3xido de cadmio cristalino con estructura c\u00fabica (cdo). las velocidades de crecimiento tambi\u00e9n var\u00edan en funci\u00f3n de los distintos materiales entre 41nm\/min del zn1-xcoxo y 45nm\/min para el zn1-xcdxo. en el estudio de la transmitancia, los tres materiales presentan elevada transmitancia, alrededor del 90% y todos muestran una banda de absorci\u00f3n en el rango del visible que se corresponde con la del zno. La introducci\u00f3n de \u00e1tomos de cd+2 en la red cristalina del zno produce un desplazamiento de la energ\u00eda del gap que disminuye al aumentar el contenido de cd+2 en la capa. las capas de zn1-xcoxo y zn1-xmnxo, a diferencia del zn1-xcdxo, producen una deformaci\u00f3n del gap desplazando la banda principal de absorci\u00f3n hacia el rojo. el estudio sobre los efectos de someter a las capas a un tratamiento t\u00e9rmico, muestra que el compuesto zncdo mejora la cristalinidad y a\u00f1ade un desplazamiento del gap para temperaturas no superiores a 300\u00c2\u00bac. En el caso del zncoo y el znmno, la exposici\u00f3n a tratamientos de calor, no induce variaciones considerables en la calidad del compuesto o en cualquiera de sus propiedades. finalmente, el estudio magn\u00e9tico para los compuestos zncoo y znmno, revelan un comportamiento paramagn\u00e9tico y ferrimagn\u00e9tico respectivamente. los resultados obtenidos destacan la fiabilidad y la eficacia del m\u00e9todo de la electrodeposici\u00f3n. Este trabajo demuestra que se trata de un m\u00e9todo sencillo, que ha permitido la fabricaci\u00f3n de capas finas de compuestos ternarios a partir de zno por primera vez, depositadas a bajas temperaturas (< 100\u00c2\u00bac), resultando una t\u00e9cnica altamente econ\u00f3mica y reproductible para la elaboraci\u00f3n de capas finas de materiales transparentes de gran calidad.\n\n\n\n \n\n\n

Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00abPreparaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de capas finas de semiconductores ternarios de zno mediante electrodeposici\u00f3n<\/strong>\u00ab<\/h3>\n
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  • T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Preparaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de capas finas de semiconductores ternarios de zno mediante electrodeposici\u00f3n <\/li>\n
  • Autor:<\/strong>\u00a0 Mar\u00eda Dolores Tortosa Jorques <\/li>\n
  • Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Valencia<\/li>\n
  • Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 09\/06\/2011<\/li>\n<\/ul>\n

     <\/p>\n

    Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n
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    • Director de la tesis<\/strong>\n
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      • Bernab\u00e9 Mar\u00ed Soucase<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
      • Tribunal<\/strong>\n
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        • Presidente del tribunal: Jorge Curiel esparza <\/li>\n
        • anura priyajith Samantilleke (vocal)<\/li>\n
        • pablo Palacios clemente (vocal)<\/li>\n
        • Jos\u00e9 ram\u00f3n Ramos barrado (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n

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