{"id":110037,"date":"2011-08-07T00:00:00","date_gmt":"2011-08-07T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/contribucion-al-desarrollo-y-caracterizacion-de-fotodetectores-avanzados-basados-en-nitruros-del-grupo-iii\/"},"modified":"2011-08-07T00:00:00","modified_gmt":"2011-08-07T00:00:00","slug":"contribucion-al-desarrollo-y-caracterizacion-de-fotodetectores-avanzados-basados-en-nitruros-del-grupo-iii","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/propiedades-opticas-de-los-solidos\/contribucion-al-desarrollo-y-caracterizacion-de-fotodetectores-avanzados-basados-en-nitruros-del-grupo-iii\/","title":{"rendered":"Contribuci\u00f3n al desarrollo y caracterizaci\u00f3n de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo iii"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Alvaro Navarro Tobar <\/strong><\/h2>\n<p>El objetivo de esta tesis es el desarrollo y la caracterizaci\u00f3n de detectores avanzados, basados en nitruros del grupo iii. Es decir, se pretende la utilizaci\u00f3n de nitruros de galio, indio y aluminio, de manera que se aprovechen las cualidades espec\u00edficas de estos materiales, para la fabricaci\u00f3n de fotodetectores que destaquen y mejoren el actual estado de la t\u00e9cnica en diversos \u00e1mbitos o aplicaciones. Las principales l\u00edneas de actuaci\u00f3n han sido tres: evaluaci\u00f3n del comportamiento en alta temperatura, sensibilidad a la polarizaci\u00f3n de la luz, y aplicaci\u00f3n en sistemas de fotoluminiscencia.  se ha realizado un estudio te\u00f3rico y experimental del comportamiento de fotodetectores de tipo p-i-n en alta temperatura, centrando el inter\u00e9s en la evaluaci\u00f3n de la detectividad espec\u00edfica en modo fotovoltaico. Se ha podido comprobar que el silicio, el material semiconductor m\u00e1s extendido en la actualidad, sufre una severa degradaci\u00f3n de sus caracter\u00edsticas en alta temperatura, debido a su gap relativamente estrecho. Los nitruros, sin embargo, al ser materiales de gap ancho, tienen mejores caracter\u00edsticas en cuanto al ruido, siendo m\u00e1s ventajosa la diferencia en altas temperaturas. Su rendimiento se ve dificultado, sin embargo, por la peor calidad cristalina del material, lo cual supone un inconveniente m\u00e1s acusado en el caso de los ternarios, y en particular del ingan. Se ha comprobado que la fabricaci\u00f3n de fotodetectores de gan con m\u00faltiple pozo cu\u00e1ntico de ingan en su regi\u00f3n intr\u00ednseca posibilita la detecci\u00f3n en el visible, sin perjudicar las caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas del fotodiodo. En este tipo de dispositivos, adem\u00e1s, se ha llevado a cabo un estudio del ruido en alta y baja temperatura.   se han fabricado fotodetectores de tipo metal-semiconductor-metal con inter digitados sub-microm\u00e9tricos en gan crecido sobre el plano cristalino a. Se ha podido comprobar que estos dispositivos tienen una sensibilidad intr\u00ednseca a la polarizaci\u00f3n de la luz incidente para fotones de energ\u00edas en torno al gap, debido a la anisotrop\u00eda de la red cristalina en el plano de crecimiento. Adem\u00e1s, se han caracterizado el\u00e9ctricamente estos dispositivos, observando que tienen unos niveles muy bajos de corriente de oscuridad y ruido.   por \u00faltimo, se ha explorado de una manera m\u00e1s profunda la aplicaci\u00f3n de los nitruros en sistemas de medida de fotoluminiscencia. Se ha demostrado la funcionalizaci\u00f3n covalente de superficies de gan con complejos luminiscentes basados en rutenio, y su sensibilidad a la concentraci\u00f3n ambiental de ox\u00edgeno. Se ha funcionalizado tambi\u00e9n un diodo emisor de luz basado en nitruros con este mismo complejo, demostrando la posibilidad de caracterizar el tiempo de vida de la luminiscencia, utilizando como excitaci\u00f3n de la misma la luz emitida por este dispositivo. Dado que la simplificaci\u00f3n de elementos \u00f3pticos dificulta la caracterizaci\u00f3n del tiempo de vida medio de la luminiscencia, se ha desarrollado un m\u00e9todo para la medida del mismo en condiciones en las que no es posible eliminar la se\u00f1al de fondo \u00f3ptica debida a la excitaci\u00f3n. Dicho m\u00e9todo se ha validado experimentalmente realizando la medida de una membrana impregnada del complejo luminiscente de rutenio bajo este tipo de condiciones.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Contribuci\u00f3n al desarrollo y caracterizaci\u00f3n de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo iii<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Contribuci\u00f3n al desarrollo y caracterizaci\u00f3n de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo iii <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Alvaro Navarro Tobar <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 08\/07\/2011<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>El\u00edas Mu\u00f1oa Merino<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: fernando Calle g\u00f3mez <\/li>\n<li>Jos\u00e9 Antonio Garrido ariza (vocal)<\/li>\n<li>Javier Miguel s\u00e1nchez (vocal)<\/li>\n<li>guillermo Orellana moraleda (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Alvaro Navarro Tobar El objetivo de esta tesis es el desarrollo y la caracterizaci\u00f3n de detectores avanzados, 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