{"id":112387,"date":"2018-03-11T10:39:20","date_gmt":"2018-03-11T10:39:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/micro-nano-structured-electro-optic-devices-in-linbo3-for-communication-and-sensing\/"},"modified":"2018-03-11T10:39:20","modified_gmt":"2018-03-11T10:39:20","slug":"micro-nano-structured-electro-optic-devices-in-linbo3-for-communication-and-sensing","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/propiedades-opticas-de-los-solidos\/micro-nano-structured-electro-optic-devices-in-linbo3-for-communication-and-sensing\/","title":{"rendered":"Micro-nano structured electro-optic devices in linbo3 for communication and sensing"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Domenico Tulli <\/strong><\/h2>\n<p>Uno de los materiales que permite el avance de la tecnolog\u00eda de dispositivos \u00f3pticos integrados es el niobato de litio (linbo3).  Se trata de un cristal ferro-el\u00e9ctrico, con excelentes propiedades electro-\u00f3pticas, acusto-\u00f3pticas y no lineales.  Adem\u00e1s, es posible fabricar gu\u00edas de onda de bajas p\u00e9rdidas mediante las t\u00e9cnicas de intercambio prot\u00f3nico (pe) y difusi\u00f3n de titanio. El objetivo principal de este trabajo es el desarrollo y la introducci\u00f3n tanto de las t\u00e9cnicas avanzadas de micro-nano fabricaci\u00f3n para el niobato de litio como de nuevos dispositivos \u00f3pticos integrados  para las comunicaciones \u00f3pticas y la detecci\u00f3n de campo el\u00e9ctricos de alto voltaje.  la t\u00e9cnicas de fabricaci\u00f3n desarrolladas incluyen inversi\u00f3n de dominios mediante la t\u00e9cnica de poling de alto voltaje, grabado, bonding y capas delgadas. desde el punto de vista de los dispositivos, la inversi\u00f3n de dominios ha sido utilizada para mejorar la respuesta electro-\u00f3ptica de los moduladores en linbo3 en t\u00e9rminos de ancho de banda (bw) y voltaje de control (v\u00c2\u00bf). En comparaci\u00f3n con los moduladores comerciales actuales de un \u00fanico dominio, con esta t\u00e9cnica es posible obtener mayores anchos de banda y menores voltajes de control resultando en un aumento del 50% del producto bw\u00c2\u00bfv\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfpara demonstrar la eficacia de la t\u00e9cnica desarrollada, se ha fabricado un modulador mach-zehnder chirp-free poniendo los brazos del interfer\u00f3metro en dos regiones de dominios opuestos.  De las mediciones efectuadas se han obtenidos  valores de voltaje de control de 2v y ancho de banda de 15 ghz. Estos resultados muestran que los dispositivos desarrollados pueden reducir el coste total de funcionamiento, ya que permiten el uso de controladores econ\u00f3micos de si-ge que operan en el rango de los 2v. Otro aspecto de este trabajo se enfoca en el desarrollo de dispositivos para medir, de forma exacta, altos campos el\u00e9ctricos, que normalmente son generados en las centrales el\u00e9ctricas y en las l\u00edneas de transmisi\u00f3n. Por este motivo, se han desarrollado dos sensores de campo el\u00e9ctrico mediante las t\u00e9cnicas de micro-fabricaci\u00f3n anteriormente mencionadas. El primer dispositivo est\u00e1 basado en una gu\u00eda fabricada mediante intercambio prot\u00f3nico en linbo3 z-cut, dise\u00f1ada a la frecuencia de corte y centrada en una regi\u00f3n de dominio invertido de 10 micras de ancho y 10mm de largo. El rendimiento del dispositivo se ha demostrado detectando campos a baja frecuencia con amplitudes de hasta 2.6mv\/m y campos a la frecuencia de 1.1ghz con amplitudes desde 19v\/m hasta 23kv\/m. El segundo dispositivo se ha fabricado mediante bonding directo de un sustrato de linbo3 encima de una gu\u00eda pe dise\u00f1ada a la frecuencia de corte y centrada en una regi\u00f3n de dominio invertido de 10 micras de ancho y 10mm de largo. El dispositivo se ha caracterizado a baja frecuencia y ha sido posible medir campos el\u00e9ctricos de hasta 2mv\/m con un aumento de sensibilidad comparado con el primer dispositivo fabricado sin la t\u00e9cnica del bonding. Estos resultados muestran que los dispositivos desarrollados pueden ser utilizados para mediciones de campos el\u00e9ctricos intensos en condiciones peligrosas sin ning\u00fan riesgo para el operador. Despu\u00e9s de una breve introducci\u00f3n en el cap\u00edtulo 1 de esta tesis, las propiedades del linbo3 se discuten en el cap\u00edtulo 2, prestando especial atenci\u00f3n a sus caracter\u00edsticas \u00f3pticas y electro-\u00f3pticas. El cap\u00edtulo 3 presenta las t\u00e9cnicas de micro fabricaci\u00f3n desarrolladas durante este trabajo sobre sustratos de 3 pulgadas. En particular, se presentan las t\u00e9cnicas de fabricaci\u00f3n de gu\u00edas mediante intercambio prot\u00f3nico, de inversi\u00f3n de dominios mediante poling de alto voltaje, de bonding de linbo3 con diferentes sustratos (linbo3 , sio2, si) y la fabricaci\u00f3n de capas delgadas.El cap\u00edtulo 4 ofrece una introducci\u00f3n sobre los moduladores interferom\u00e9tricos mach-zehnder de onda propagada, presentando sus principales caracter\u00edsticas.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Micro-nano structured electro-optic devices in linbo3 for communication and sensing<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Micro-nano structured electro-optic devices in linbo3 for communication and sensing <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Domenico Tulli <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de catalunya<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 20\/02\/2012<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Valerio Pruneri<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: corin Gawith <\/li>\n<li>sakellaris Mailis (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Domenico Tulli Uno de los materiales que permite el avance de la tecnolog\u00eda de dispositivos \u00f3pticos integrados 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