{"id":114755,"date":"2013-11-10T00:00:00","date_gmt":"2013-11-10T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/tecnologa%c2%ada-de-fabricacion-de-celulas-solares-con-materiales-candidatos-a-presentar-banda-intermedia\/"},"modified":"2013-11-10T00:00:00","modified_gmt":"2013-11-10T00:00:00","slug":"tecnologa%c2%ada-de-fabricacion-de-celulas-solares-con-materiales-candidatos-a-presentar-banda-intermedia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/semiconductores\/tecnologa%c2%ada-de-fabricacion-de-celulas-solares-con-materiales-candidatos-a-presentar-banda-intermedia\/","title":{"rendered":"Tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de c\u00e9lulas solares con materiales candidatos a presentar banda intermedia."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Alfredo Boronat Moreiro <\/strong><\/h2>\n<p>El concepto de banda intermedia (bi) implica un nuevo reto en el desarrollo de dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia. Este concepto persigue superar el l\u00edmite de eficiencia de conversi\u00f3n fotovoltaica establecido. El principio te\u00f3rico b\u00e1sico es el aumento de la corriente fotogenerada a partir de la absorci\u00f3n sub-bangap de la luz sin una degradaci\u00f3n de la tensi\u00f3n de circuito abierto en la respuesta del dispositivo. Esta absorci\u00f3n sub-bandgap se consigue gracias a la presencia de una banda (estados energ\u00e9ticos deslocalizados) situada entre la banda de conducci\u00f3n y la banda de Valencia: la banda intermedia. la implementaci\u00f3n de este concepto supondr\u00eda una revoluci\u00f3n dentro del campo fotovoltaico. El atractivo de las posibilidades que ofrece el concepto de bi motiv\u00f3 el trabajo que se recoge de forma resumida en esta tesis. la implementaci\u00f3n del concepto de bi supone dos estadios fundamentales desde un punto de vista tecnol\u00f3gico: \u00c2\u00bfel desarrollo de materiales o estructuras capaces de crear o generar la bi. \u00c2\u00bfel desarrollo de dispositivos fotovoltaicos y procesos de fabricaci\u00f3n que permitan incorporar de una forma \u00f3ptima estos materiales o estructuras. el trabajo realizado en relaci\u00f3n al primer estadio se ha basado en la s\u00edntesis de capas, depositadas por sputtering, de arseniuro de galio con impurezas de titanio gaas(ti). La elecci\u00f3n de este compuesto se fundamenta en los resultados de trabajos de la literatura que, relacionados con simulaciones basadas en m\u00e9todos ab initio, sugieren que estos compuestos son candidatos a presentar bi. Se ha trabajado con diferentes condiciones de dep\u00f3sito para analizar c\u00f3mo afectan a caracter\u00edsticas de la capa como: la composici\u00f3n elemental (en especial el contenido de ti); la estructura cristalina; las propiedades \u00f3pticas. El trabajo desarrollado en este sentido supone la primera aproximaci\u00f3n en la s\u00edntesis de compuestos gaas(ti), con la finalidad de obtener un material de bi, utilizando la t\u00e9cnica de sputtering. en un segundo estadio se han dise\u00f1ado los procesos de fabricaci\u00f3n y estructuras fotovoltaicas para la incorporaci\u00f3n de los materiales de bi. Todas las estructuras desarrolladas se basan en el concepto de heterouni\u00f3n. B\u00e1sicamente se ha trabajado con tres dise\u00f1os diferentes en funci\u00f3n del material a incorporar: \u00c2\u00bfestructuras dise\u00f1adas para la incorporaci\u00f3n de las capas gaas(ti) desarrolladas en esta tesis. \u00c2\u00bfestructuras dise\u00f1adas para la incorporaci\u00f3n de sustratos (p) c-si con altas dosis de ti implantado. Estos materiales han presentado resultados prometedores en relaci\u00f3n al concepto de bi. \u00c2\u00bfestructuras dise\u00f1adas para la incorporaci\u00f3n de puntos cu\u00e1nticos y\/o nano-part\u00edculas met\u00e1licas. La incorporaci\u00f3n de puntos cu\u00e1nticos ha demostrado su potencial en el desarrollo de c\u00e9lulas solares de banda intermedia (qd-ibsc). el dise\u00f1o de cada una de estas estructuras ha estado acompa\u00f1ado de la definici\u00f3n de los respectivos procesos de fabricaci\u00f3n. Cada uno de los procesos de fabricaci\u00f3n ha prestado especial atenci\u00f3n a aspectos como la temperatura de proceso o los procesos qu\u00edmicos, para evitar una alteraci\u00f3n de las caracter\u00edsticas de los materiales incorporados de cara a la posible creaci\u00f3n de la bi. los resultados obtenidos en este trabajo invitan al desarrollo de nuevas l\u00edneas de investigaci\u00f3n en el marco de la implementaci\u00f3n de c\u00e9lulas solares de banda intermedia (ibsc).<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de c\u00e9lulas solares con materiales candidatos a presentar banda intermedia.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de c\u00e9lulas solares con materiales candidatos a presentar banda intermedia. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Alfredo Boronat Moreiro <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de catalunya<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 11\/10\/2013<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Santiago Silvestre Berges<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Luis Casta\u00f1er mu\u00f1oz <\/li>\n<li>ignacio Tob\u00edas galicia (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Alfredo Boronat Moreiro El concepto de banda intermedia (bi) implica un nuevo reto en el desarrollo de 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