{"id":116231,"date":"2018-03-11T10:45:12","date_gmt":"2018-03-11T10:45:12","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/variability-and-reliability-analysis-of-carbon-nanotube-technology-in-the-presence-of-manufacturing-imperfections\/"},"modified":"2018-03-11T10:45:12","modified_gmt":"2018-03-11T10:45:12","slug":"variability-and-reliability-analysis-of-carbon-nanotube-technology-in-the-presence-of-manufacturing-imperfections","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/electronica\/variability-and-reliability-analysis-of-carbon-nanotube-technology-in-the-presence-of-manufacturing-imperfections\/","title":{"rendered":"Variability and reliability analysis of carbon nanotube technology in the presence of manufacturing imperfections"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Carmen Garc\u00eda Almud\u00e9ver <\/strong><\/h2>\n<p>El mosfet ha sido el tipo de transistor m\u00e1s usado en los circuitos integrados y por tanto el dispositivo m\u00e1s importante en la industria electr\u00f3nica. El progreso en dicho campo durante los \u00faltimos 40 a\u00f1os ha seguido un comportamiento exponencial de acuerdo con la ley de mooore. Es decir, con el fin de alcanzar mayores densidades y rendimiento a bajo consumo, se ha ido reduciendo el tama\u00f1o de los dispositivos mos. Pero este agresivo escalado de los mosfets ha requerido la introducci\u00f3n de ciertos factores para asegurar que \u00e9stos aun se puedan fabricar correctamente. Se puede decir que los transistores han experimentado un asombroso viaje en los \u00faltimos a\u00f1os, empezando con el uso de  &#8216;strained channel&#8217; en los transistores de 90nm, siguiendo con la introducci\u00f3n de &#8216;high-k\/metal-gate&#8217; en 45nm, hasta la utilizaci\u00f3n de &#8216;multiple-gate transistors&#8217; en 22nm y en la tecnolog\u00eda de 14nm que ha sido recientemente presentada. Pero, \u00c2\u00bfque tecnolog\u00eda podr\u00e1 ser usada para la fabricaci\u00f3n de transistores por debajo de los 10nm?.  se est\u00e1n investigando nuevos materiales y dispositivos. Como extensi\u00f3n y mejora de los actuales mosfets algunos dispositivos prometedores son los dispositivos tipo-n de iii-v y tipo-p de germanio, los transistores de nanocables y de efecto t\u00fanel, y los transistores de grafeno y nanotubos de carbono.  esta tesis se centra en la tecnolog\u00eda de nanotubos de carbono como posible opci\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de transistores sub-10nm. En los \u00faltimos a\u00f1os, los nanotubos de carbono (cnts) han tenido una considerable atenci\u00f3n en el campo de la nanotecnolog\u00eda. Los cnts son considerados prometedores substitutos del silicio  por su peque\u00f1o tama\u00f1o, su geometr\u00eda inusual, y sus extraordinarias propiedades electr\u00f3nicas como son una excelente movilidad y un transporte cuasi-bal\u00edstico. De la misma manera, los transistores de nanotubos de carbono (cnfets), podr\u00edan ser potenciales substitutos de los mosfets. Se predice que los cnfet ideales (entendiendo por ideal que todos los cnts que forman el transistor son semiconductores, tienen el mismo di\u00e1metro y nivel de dopado, y est\u00e1n bien alineados y posicionados) ser\u00e1n 5 veces m\u00e1s r\u00e1pidos que los actuales mosfet consumiendo lo mismo. Sin embargo, actualmente los cnfets tambi\u00e9n se ven afectados por  la variabilidad del proceso de fabricaci\u00f3n, y a\u00fan hay importantes problemas de fabricaci\u00f3n que deben ser solucionados antes de que se puedan alcanzar dichos beneficios. Hay determinadas imperfecciones de fabricaci\u00f3n, como son las variaciones de di\u00e1metro y dopado, el posicionamiento y alineaci\u00f3n de los cnts, la resistencia de contacto entre el cnt y el metal, la presencia de nanotubos met\u00e1licos, y las variaciones de densidad de cnts, que pueden afectar al rendimiento y a la fiabilidad de los cnfets y que por tanto deben ser tratados.   el principal objetivo de esta tesis es analizar el impacto que tienen las actuales imperfecciones de fabricaci\u00f3n, y que dan lugar a variaciones espec\u00edficas de los cnt, en los cnfet multi-tubo desde un punto de vista de variabilidad y fiabilidad y a diferentes niveles, dispositivo y circuito. Asumiendo que los cnfets no son homog\u00e9neos debido a dichas imperfecciones de fabricaci\u00f3n, proponemos una metodolog\u00eda de an\u00e1lisis que basada en un modelo compacto e ideal de cnfet es capaz de simular cnfets heterog\u00e9neos; es decir, transistores que contienen diferente n\u00famero de tubos, cuyos tubos presentan diferentes di\u00e1metros, no est\u00e1n uniformemente espaciados, y poseen diferente nivel de dopado, y lo m\u00e1s importante, est\u00e1n hechos no s\u00f3lo de cnt semiconductores sino tambi\u00e9n de met\u00e1licos. Este m\u00e9todo nos permitir\u00e1 analizar como afectan las variaciones espec\u00edficas de los cnt a las caracter\u00edsticas y a los par\u00e1metros de los cnfet y al rendimiento de los circuitos cnfet. Adem\u00e1s tambi\u00e9n derivamos un modelo de fallo para los cnfet y proponemos el uso de arquitecturas tolerantes a fallos para lidiar con la presencia de cnt met\u00e1licos, una de las principales causas de fallo en los circuitos cnfet.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Variability and reliability analysis of carbon nanotube technology in the presence of manufacturing imperfections<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Variability and reliability analysis of carbon nanotube technology in the presence of manufacturing imperfections <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Carmen Garc\u00eda Almud\u00e9ver <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de catalunya<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 29\/07\/2014<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Jos\u00e9 Antonio Rubio Sol\u00c1\u00a0<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: montserrat Nafr\u00eda maqueda <\/li>\n<li>sorin Cotofana (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<li>  (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Carmen Garc\u00eda Almud\u00e9ver El mosfet ha sido el tipo de transistor m\u00e1s usado en los circuitos integrados 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