{"id":117575,"date":"2015-05-06T00:00:00","date_gmt":"2015-05-06T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/charge-and-spin-transport-in-graphene-devices\/"},"modified":"2015-05-06T00:00:00","modified_gmt":"2015-05-06T00:00:00","slug":"charge-and-spin-transport-in-graphene-devices","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/magnetismo\/charge-and-spin-transport-in-graphene-devices\/","title":{"rendered":"Charge and spin transport in graphene devices"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Luca Pietrobon &#8212; <\/strong><\/h2>\n<p>El grafeno es una capa bidimensional (2d) de \u00c2\u00bftomos de carbono conectadospor enlaces \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2. Electr\u00c2\u00bfnicamente el grafeno es un semi-metal sin bandaprohibida con una relaci\u00c2\u00bfn de dispersi\u00c2\u00bfn lineal para bajas densidades deportadores de carga, y ha mostrado un rendimiento excepcional en una granvariedad de medidas f\u00c2\u00bfsicas, entre las que destacan la movilidad el\u00c2\u00bfctrica(2.5 \u00c2\u00bf 105 cm2v-1s-1) [1], fuerza intr\u00c2\u00bfnseca (130 gpa) [2], impermeabilidad alos gases [3] y conductividad t\u00c2\u00bfrmica (~ 2000 a 5300 w m-1k\u00c2\u00bf -1\u00c2\u00bf) [4].El grafeno fue aislado por primera vez en 2004 [7] mediante disociaci\u00c2\u00bfnmec\u00c2\u00bfnica [7]. Otras formas comunes para fabricar grafeno son el crecimientoepitaxial [8], exfoliaci\u00c2\u00bfn l\u00c2\u00bfquida [9,10] y la deposici\u00c2\u00bfn qu\u00c2\u00bfmica desde fase vapor(cvd) [11]. Cada uno de estos m\u00c2\u00bftodos tiene sus ventajas y desventajasespec\u00c2\u00bfficas, con la disociaci\u00c2\u00bfn mec\u00c2\u00bfnica siendo la m\u00c2\u00bfs com\u00c2\u00bfn en investigaci\u00c2\u00bfnfundamental y la cvd la m\u00c2\u00bfs prometedora para aplicaciones a escala industrialen aplicaciones de alta movilidad el\u00c2\u00bfctrica.La estructura de bandas del grafeno fue calculada por primera vez por wallance[100] y puede expresarse [99] como:\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ = ,\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf3 + 2[cos.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1\/ + cos.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2\/ + cos.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf .\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1 * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2\/\/]donde \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1 y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2 son los vectores de red del grafeno y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf es el integral de superposici\u00c2\u00bfnentre los orbitales \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Las superficies \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ muestran los puntos enel espacio de momento en el que las bandas superiores e inferiores se unen:estos puntos se llaman dirac points (\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf-points). Cerca de estos puntos la estructurade bandas es lineal, como se puede ver mediante la expansi\u00c2\u00bfn en elentorno de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf:\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ \u00c2\u00bf ,\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf |\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf| \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = 32\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf0\u00c2\u00bfdopando el grafeno se puede cambiar de forma continua entre portadores decarga de tipo electrones o huecos, mientras que el valor de energ\u00c2\u00bfa \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = 0\/142 |corresponde al nivel de fermi intr\u00c2\u00bfnseco del grafeno. Es posible cambiar laenerg\u00c2\u00bfa del punto de dirac mediante la realizaci\u00c2\u00bfn de transistores de efectode campo en los que el grafeno sirve como canal de conducci\u00c2\u00bfn, y se puedecontrolar su densidad superficial de portadores de carga, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf, por medio de unapuerta electrost\u00c2\u00bftica.Fabricaci\u00c2\u00bfn de dispositivoslas principales etapas de fabricaci\u00c2\u00bfn para los dispositivos de grafeno t\u00c2\u00bfpicamenteimplican t\u00c2\u00bfcnicas de litograf\u00c2\u00bfa, eliminaci\u00c2\u00bfn y deposici\u00c2\u00bfn de metales.En nuestro caso particular, usamos litograf\u00c2\u00bfa por haz de electrones (ebl) paradefinir la geometr\u00c2\u00bfa espec\u00c2\u00bffica de nuestros dispositivos sobre las muestrasde grafeno cvd. La litograf\u00c2\u00bfa consiste en cubrir la muestra con una pel\u00c2\u00bfculapolim\u00c2\u00bfrica (en nuestro caso, pmma) y localmente irradiar el pol\u00c2\u00bfmero conelectrones a una alta energ\u00c2\u00bfa (~10 kv). Tras la irradiaci\u00c2\u00bfn, el pmma se vuelvesoluble en un tipo espec\u00c2\u00bffico de producto qu\u00c2\u00bfmico nombrado revelador (ennuestro caso, metilisobutilcetona, o mibk), lo que permite la eliminaci\u00c2\u00bfn localdel pol\u00c2\u00bfmero. La muestra puede ser expuesto a una etapa de grabado (ennuestro caso, reactive ion etching) para la eliminaci\u00c2\u00bfn parcial del grafeno o auna etapa de deposici\u00c2\u00bfn de metal (en nuestro caso, la evaporaci\u00c2\u00bfn de metalo de pulverizaci\u00c2\u00bfn cat\u00c2\u00bfdica) para la fabricaci\u00c2\u00bfn de contactos met\u00c2\u00bflicos. En\u00c2\u00bfltima instancia, la muestra se sumerge en un ba\u00c2\u00bfo de acetona, que eliminael pmma y los eventuales residuos met\u00c2\u00bflicos depositados sobre ella.Tecnicas de caracterizaci\u00c2\u00bfnhacemos un seguimiento de la calidad de la fabricaci\u00c2\u00bfn con una serie de diferentest\u00c2\u00bfcnicas de caracterizaci\u00c2\u00bfn, siendo las m\u00c2\u00bfs relevantes la microscopia\u00c2\u00bfptica, la microscopia electr\u00c2\u00bfnica (sem) y la espectroscopia raman. El grafenomuestra unos rasgos caracter\u00c2\u00bfsticos en su espectro de raman, tales como unpico a \u00c2\u00bf1580 cm-1 (g-peak) y una banda a \u00c2\u00bf2700 cm-1 (2d-peak). La intensidadrelativa entre los dos, as\u00c2\u00bf como la anchura de la banda 2d, se puedenutilizar como un indicador del n\u00c2\u00bfmero de capas de grafeno. Toda la informaci\u00c2\u00bfnobtenida por espectroscopia raman es local, por lo que se puede utilizarpara determinar las \u00c2\u00bfreas cubiertas por grafeno y las libres de el, as\u00c2\u00bf comopara monitorizar los cambios en el pico g o 2d sobre la superficie de grafeno.Resumen | 143en nuestra experiencia tambi\u00c2\u00bfn se ha demostrado \u00c2\u00bftil para aportar informaci\u00c2\u00bfnsobre el origen de los residuos que permanecen en el grafeno despu\u00c2\u00bfsdel proceso de fabricaci\u00c2\u00bfn, residuos que no se pudo eliminar por medios convencionales(es decir, recocido o solventes qu\u00c2\u00bfmicos). Los resultados sugierenque una t\u00c2\u00bfcnica de grabado espec\u00c2\u00bffico (el ion milling) podr\u00c2\u00bfa causar un endurecimientoinesperado del pol\u00c2\u00bfmero, que posteriormente se transforma porla exposici\u00c2\u00bfn al l\u00c2\u00bfser raman. Esta informaci\u00c2\u00bfn nos ayud\u00c2\u00bf en la elecci\u00c2\u00bfn de unat\u00c2\u00bfcnica de grabado espec\u00c2\u00bffica para el proceso de fabricaci\u00c2\u00bfn.Los dispositivos fueron caracterizados el\u00c2\u00bfctricamente a diferentes temperaturas(2-300 k) y campos magn\u00c2\u00bfticos (0-9 t). En la geometr\u00c2\u00bfa de transistor deefecto de campo (fet), reproducimos la t\u00c2\u00bfpica modulaci\u00c2\u00bfn de la resistividad delgrafeno en funci\u00c2\u00bfn de la tensi\u00c2\u00bfn de puerta aplicada: encontramos el m\u00c2\u00bfximode la resistencia a una tensi\u00c2\u00bfn de puerta de 40-60 v (en oposici\u00c2\u00bfn a 0 v), convalores t\u00c2\u00bfpicos de la movilidad ~1000 cm2v-1s-1.Junto con las mediciones de fet, tambi\u00c2\u00bfn hacemos mediciones de magnetorresistencia(mr), en particular a trav\u00c2\u00bfs del efecto hall, donde un voltaje \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf semide transversal a una corriente el\u00c2\u00bfctrica aplicada \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf, en funci\u00c2\u00bfn de un campomagn\u00c2\u00bftico externo \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Esta configuraci\u00c2\u00bfn permite extraer la movilidad \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf delgrafeno a diferentes valores de voltaje de puerta \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Este m\u00c2\u00bftodo, en nuestraexperiencia, arroja valores de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf compatibles a los obtenidos por medidas fet.Espintronica: introducti\u00c2\u00bfnposteriormente, dirigimos nuestra investigaci\u00c2\u00bfn sobre el transporte de esp\u00c2\u00bfn endispositivos de grafeno. En este campo, el transporte electr\u00c2\u00bfnico se modela atrav\u00c2\u00bfs de dos canales independientes y en paralelo, uno por degeneraci\u00c2\u00bfn deesp\u00c2\u00bfn [145], por lo que la conductividad se puede escribir \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Estasencilla imagen se aplica si el esp\u00c2\u00bfn del electr\u00c2\u00bfn se conserva a lo largo de todala trayectoria de conducci\u00c2\u00bfn. Este es t\u00c2\u00bfpicamente el caso en las v\u00c2\u00bflvulas deesp\u00c2\u00bfn locales, donde dos conductores ferromagn\u00c2\u00bfticos (fm) est\u00c2\u00bfn separadospor una delgada capa no magn\u00c2\u00bftica (nm). El sistema fm-nm-fm puede presentarseen dos geometr\u00c2\u00bfas: una denominada vertical, donde las capas se apilanuna encima de la otra, y una lateral, donde el material nm forma en un canalalargado que conecta los dos electrodos fm. En ambos casos el objetivo escrear una corriente polarizada de esp\u00c2\u00bfn a trav\u00c2\u00bfs de un material nm, donde pordefinici\u00c2\u00bfn su estado fundamental es sin polarizaci\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn.144 |podemos definir el transporte por medio de la densidad de corriente de esp\u00c2\u00bfn\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf y la densidad de corriente de carga \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. En un materialferromagn\u00c2\u00bftico, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf, dando una polarizaci\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf 0:\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf=\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf= *\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfuna descripci\u00c2\u00bfn exacta del transporte de esp\u00c2\u00bfn debe incluir tres regiones distintas,la fm, el nm y la interfaz fm\/nm. En la proximidad de la interfaz un flujode corriente de esp\u00c2\u00bfn polarizado del fm al nm va a generar una acumulaci\u00c2\u00bfnde esp\u00c2\u00bfn en el nm, que se difundir\u00c2\u00bf en su mayor parte en el nm, disminuyendocon una longitud de decaimiento \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf . La poblaci\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn tambi\u00c2\u00bfn sepuede difundir de nuevo en el fm, de modo que la dependencia espacial de\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = .\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/\u00c2\u00bf2 var\u00c2\u00bfa a trav\u00c2\u00bfs de la interfaz.La evoluci\u00c2\u00bfn de la poblaci\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn se describe por la ecuaci\u00c2\u00bfn bloch [149]d\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfd\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf= \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf+ \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfdonde \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf es el tiempo de relajaci\u00c2\u00bfn del esp\u00c2\u00bfn, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf la constante de difusi\u00c2\u00bfn y\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf siendo el factor giromagn\u00c2\u00bftico, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf el magnet\u00c2\u00bfn de bohr, \u00c2\u00bf laconstante de planck y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf el campo magn\u00c2\u00bftico. La ecuaci\u00c2\u00bfn de bloch capturala difusi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn, su relajaci\u00c2\u00bfn y su precesi\u00c2\u00bfn alrededor de un campo magn\u00c2\u00bfticode una forma muy general. Intuitivamente, el valor de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf en el punto deinyecci\u00c2\u00bfn en el nm depender\u00c2\u00bf de la polarizaci\u00c2\u00bfn del material ferromagn\u00c2\u00bftico yen la dispersi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn que la interfaz podr\u00c2\u00bfa introducir. Sin embargo, inclusocon una polarizaci\u00c2\u00bfn ideal \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = 1 y sin dispersi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn en la interfaz, la polarizaci\u00c2\u00bfn\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf en el punto de inyecci\u00c2\u00bfn puede desaparecer simplemente por lasresistencias el\u00c2\u00bfctricas particulares presentes en el dispositivo. Este problemase conoce como el desajuste de conductividad [150,151] y es un tema relevantepara la inyecci\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn en el grafeno [152,153]. Este problema pors\u00c2\u00bf solo puede hacer la diferencia entre una se\u00c2\u00bfal medible y un dispositivo queno funciona. Seg\u00c2\u00bfn lo demostrado en [148], la introducci\u00c2\u00bfn de una barreraresistiva en la interfaz proporciona una forma de controlar la polarizaci\u00c2\u00bfn \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfen el canal [149]:\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf= ,12\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf 2\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf*\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfresumen | 145donde \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf es la distancia entre los electrodos y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf la polarizaci\u00c2\u00bfn en la interfaz.Como barremos la magnitud de un campo magn\u00c2\u00bftico externo en el plano, laalineaci\u00c2\u00bfn relativa entre la magnetizaci\u00c2\u00bfn del inyector y del detector cambiaentre paralela y anti-paralela, con los dos estados produciendo dos diferentesvalores de resistencia no local. La manera mas intuitiva para la medici\u00c2\u00bfn dela longitud de difusi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn es mapear la amplitud \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf de la se\u00c2\u00bfal nolocal como una funci\u00c2\u00bfn de la separaci\u00c2\u00bfn entre el inyector y el detector.El transporte de esp\u00c2\u00bfn se puede caracterizar tambi\u00c2\u00bfn por medio del efectohanle. En el caso espec\u00c2\u00bffico de una v\u00c2\u00bflvula de esp\u00c2\u00bfn lateral, un campo magn\u00c2\u00bfticoexterno se usa primero para magnetizar los electrodos en el plano dela muestra, dej\u00c2\u00bfndolos en su estado remanente. La se\u00c2\u00bfal de esp\u00c2\u00bfn no localse mide en funci\u00c2\u00bfn de un campo magn\u00c2\u00bftico directo fuera del plano \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Para\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf 0, los espines inyectados en el canal precesan y a la vez difunden, loque se traduce en una dependencia de la se\u00c2\u00bfal \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf en la intensidad de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.La dependencia de la se\u00c2\u00bfal no local es\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ = ,\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf 2\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf0d\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf .\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ cos.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ exp.*\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ajustando esta f\u00c2\u00bfrmula a los dados medidos por efecto hanle podemos extraerlos par\u00c2\u00bfmetros de difusi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn, como \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.V\u00c2\u00bflvulas de esp\u00c2\u00bfn sobre grafeno cvdnuestra estrategia t\u00c2\u00bfpica de fabricaci\u00c2\u00bfn se basa en litograf\u00c2\u00bfa por haz de electrones(ebl). En un proceso litogr\u00c2\u00bffico de varios pasos, queremos en primerlugar definir marcas de alineaci\u00c2\u00bfn (marcas en forma de cruz en la superficiede la muestra, que se define por ebl, deposici\u00c2\u00bfn de metal y despegue), en segundolugar, definir el canal de grafeno (ebl y grabado por plasma), en tercerlugar lugar los electrodos ferromagn\u00c2\u00bfticos (ebl, deposici\u00c2\u00bfn de metal y liftoff)y por \u00c2\u00bfltimo los contactos macrosc\u00c2\u00bfpicos (ebl, deposici\u00c2\u00bfn de metal y liftoff).Una receta t\u00c2\u00bfpica de fabricaci\u00c2\u00bfn se puede encontrar en la tabla 5.1.El proceso es largo y articulado. Lo simplificamos mediante el uso de un solotipo de pol\u00c2\u00bfmero para la litograf\u00c2\u00bfa, la optimizaci\u00c2\u00bfn de un n\u00c2\u00bfmero limitado deajustes para la ebl y el fijar un tiempo de development. Con el fin de protegerel grafeno a partir de residuos de pmma, podemos cubrir toda la muestra con146 |un pel\u00c2\u00bfcula de alox de pocos nm de espesor a priori, de modo que la siguientelitograf\u00c2\u00bfa s\u00c2\u00bflo entra en contacto con al alox, que en \u00c2\u00bfltima instancia puedeser eliminado por ataque qu\u00c2\u00bfmico. Sin embargo, en nuestra experiencia estoes incompatible con el paso del grabado del grafeno. Un enfoque diferentees reducir el n\u00c2\u00bfmero de recubrimientos de pmma, que resulta ser viable perointroduje una mayor complejidad en el proceso de fabricaci\u00c2\u00bfn.El grabado del grafeno se realiza con mayor frecuencia a trav\u00c2\u00bfs de plasma deox\u00c2\u00bfgeno [7,181\u00c2\u00bf184], m\u00c2\u00bfs t\u00c2\u00bfpicamente en menos de 30 s y 50 w de potencia.Sin embargo, en nuestro caso los resultados m\u00c2\u00bfs limpios se obtuvieronmediante reactive ion etching en una atm\u00c2\u00bfsfera de ar y o2.Un m\u00c2\u00bftodo com\u00c2\u00bfn para aliviar el desajuste de conductividad [150,177,187]es aumentar la resistencia de interfaz en la uni\u00c2\u00bfn fm\/nm mediante la introducci\u00c2\u00bfnde una capa diel\u00c2\u00bfctrica (t\u00c2\u00bfpicamente alox, tiox o mgo) entre los dosconductores. Esto se aplica tambi\u00c2\u00bfn para el caso de grafeno: v\u00c2\u00bflvulas de esp\u00c2\u00bfnlaterales con grafeno(\/tiox)\/alox\/co [152,159,188], grafeno (\/tiox)\/mgo\/co[189], uniones grafeno\/mgo\/py [190] y otros [191,192] est\u00c2\u00bfn reportadas enla literatura.La uniformidad de la capa de alox es clave para un control reproducible sobrela resistencia de la interfaz. El crecimiento de una tal capa sobre el grafenoes notoriamente dif\u00c2\u00bfcil debido a una mala humectaci\u00c2\u00bfn del al sobre el grafeno.Investigamos algunas estrategias y, todo considerado, la evaporaci\u00c2\u00bfn del metaly su oxidaci\u00c2\u00bfn natural result\u00c2\u00bf ser la m\u00c2\u00bfs fiable.Entre los resultados conseguidos, ese\u00c2\u00bfamos unos dispositivos de v\u00c2\u00bflvula deesp\u00c2\u00bfn lateral donde mapeamos la amplitud \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf de la se\u00c2\u00bfal no local comouna funci\u00c2\u00bfn de la separaci\u00c2\u00bfn entre el inyector y el detector. Las separacionesentre los electrodos var\u00c2\u00bfan entre 0.5 y varios \u00c2\u00bfm. El valor de la longitud decorrelaci\u00c2\u00bfn de spin que podemos extraer de nuestros datos experimentales es\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf = 1.0 \u00c2\u00bf 0.26 \u00c2\u00bfm.Tambi\u00c2\u00bfn medimos la se\u00c2\u00bfal hanle en nuestros dispositivos. La se\u00c2\u00bfal medidadebe ser corregida por el hecho de que la magnetizaci\u00c2\u00bfn de los electrodos fmgira fuera del plano en un \u00c2\u00bfngulo \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ para valores grandes de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf. Con elfin de dar cuenta de esto, la se\u00c2\u00bfal se reescribe como [149,207]:\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ = |\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.0\/|\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf; \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf; \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/2|\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.0\/| * [\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf; \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf; \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/]resumen | 147la evaluaci\u00c2\u00bfn de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ no requiere una caracterizaci\u00c2\u00bfn amr adicional de loselectrodos, siempre que ambas mediciones p y ap est\u00c2\u00bfn disponibles. En lafigura 5.6 ense\u00c2\u00bfamos el resultado de esta an\u00c2\u00bflisis. Se obtiene una longitud dedifusi\u00c2\u00bfn de esp\u00c2\u00bfn \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf =\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf 1 \u00c2\u00bfm.Ajuste de la inyecci\u00c2\u00bfnampliamos nuestra investigaci\u00c2\u00bfn sobre algunas otras opciones para la inyecci\u00c2\u00bfnel\u00c2\u00bfctrica en el grafeno, es decir, la inyecci\u00c2\u00bfn de hot electrons. Los portadorde carga se consideran hot cuando su energ\u00c2\u00bfa \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf es muy superior a la energ\u00c2\u00bfade fermi \u00c2\u00bff en comparaci\u00c2\u00bfn con la energ\u00c2\u00bfa t\u00c2\u00bfrmica kbt, es decir, \u00c2\u00bf &#8211; \u00c2\u00bff \u00c2\u00bf kbt.Esta condici\u00c2\u00bfn normalmente se realiza en microscop\u00c2\u00bfa bal\u00c2\u00bfstica de emisi\u00c2\u00bfn deelectrones (beem), pero la misma comprensi\u00c2\u00bfn se puede aplicar a un dispositivoplenamente de estado s\u00c2\u00bflido, donde la capa de vac\u00c2\u00bfo est\u00c2\u00bf sustituida por unmaterial aislante [222,223]. Consideramos un dispositivo basado en metal conuna capa molecular de c60 como colector. Los dispositivos se fabrican comouna estructura vertical de las diferentes capas, depositadas en condiciones deultra alto vac\u00c2\u00bfo.Cuando se aplica un voltaje \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf entre emisor y base, los electrones t\u00c2\u00bfneleana trav\u00c2\u00bfs del alox y se propagan a trav\u00c2\u00bfs de la base, con una fracci\u00c2\u00bfn de ellosque llegar a la interfaz de entre base y colector. Cuando \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf es menor que labarrera base-colector \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf , la corriente emisor-colector \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf se suprime, mientraspor \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf > \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf esperamos un m\u00c2\u00bfs o menos lineal [216] aumento de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.Una vez en el semiconductor, los electrones termalizan r\u00c2\u00bfpidamente [222] yse difunden hasta el }electrodo de al. Podemos extraer informaci\u00c2\u00bfn relevanteque se puede extraer de la corriente de hot electrons. Consideramos un modeladode transporte bal\u00c2\u00bfstico 1-dimensional, de un material con densidad deestados \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ a un segundo con densidad de estados \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ y obtenemos unacorriente neta de\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf21 = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf d\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/[\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf + \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfbias\/ * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \/]\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2;1.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/donde hemos supuesto que se aplique un voltaje \u00c2\u00bf\u00c2\u00bfbias entre los dos conductoresy a\u00c2\u00bfadimos un t\u00c2\u00bfrmino \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2;1 para dar cuenta de las resistencias de interfaz(es decir \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2;1.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ = 1 para uniones \u00c2\u00bfhmicas transparentes y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2;1.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ = 0para uniones absolutamente aislantes). Despu\u00c2\u00bfs de algunas consideraciones,obtenemos148 |\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf= \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf d\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf[\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/]\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/\u00c2\u00bf d\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf[\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/]\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfdonde los \u00c2\u00bfndices\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf;\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf;\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf reposan por emisor, base y colector. Para describir deforma realista la interfaz entre mol\u00c2\u00bfculas y metal, consideramos una funci\u00c2\u00bfnespec\u00c2\u00bffica para \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/. En la interfaz, los niveles energ\u00c2\u00bfticos moleculares seampl\u00c2\u00bfan debido a la interacci\u00c2\u00bfn con la superficie met\u00c2\u00bflica, con una ampliaci\u00c2\u00bfnque puede ser aproximada por una curva de gauss o una distribuci\u00c2\u00bfn de lorentz[218,219,229]. Por lo tanto, aproximamos la densidad de estados en el c60como\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/ =\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf exp[*12(\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf*\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf)2]for \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf < \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf1 for \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf > \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bfpor encima del lumo hay otros niveles moleculares que est\u00c2\u00bfn disponibles, quetambi\u00c2\u00bfn se ampl\u00c2\u00bfan y se hibridan con el lumo. Por lo tanto, aproximamos ladensidad de estados por encima del lumo con un continuo de estados sin rasgosdistintivos. Tal aproximaci\u00c2\u00bfn es bastante burda, pero en la regi\u00c2\u00bfn de inter\u00c2\u00bfs(es decir, \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf \u00c2\u00bf \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf ) el aumento de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf en comparaci\u00c2\u00bfn con una aproximaci\u00c2\u00bfnlineal se determina por la ampliaci\u00c2\u00bfn de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf.\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\/.Fabricamos y caracterizamos tres dispositivos diferentes de hot electrons, conbases de ni80fe20, au y cu. Las mediciones se ajustan a nuestro modelo, yextraemos los valores de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf (que caracteriza la barrera t\u00c2\u00bfnel), \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf y \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf , (quecaracterizan la densidad de estados en el semiconductor).En la tabla 6.1 resumimos los hallazgos tanto para la extrapolaci\u00c2\u00bfn lineal \u00c2\u00bfliny el m\u00c2\u00bftodo aqu\u00c2\u00bf desarrollado. La primera observaci\u00c2\u00bfn que podemos haceres que los valores de la barrera base\/semiconductor extra\u00c2\u00bfdos por los dos soncoherentes con \u00c2\u00bflin = \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf . La interpretaci\u00c2\u00bfn trivial aqu\u00c2\u00bf es que una granparte de los electrones bal\u00c2\u00bfsticos encontrar una barrera efectiva en \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf * \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf ,que da lugar a una inyecci\u00c2\u00bfn en la c60 a energ\u00c2\u00bfas por debajo del lumo. Adem\u00c2\u00bfs,observamos que los valores de \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf y \u00c2\u00bflin para nife son mayores que para elau y cu, lo que no esperar\u00c2\u00bfamos bas\u00c2\u00bfndonos \u00c2\u00bfnicamente en la an\u00c2\u00bflisis de lasfunciones de trabajo.En la perspectiva de la fabricaci\u00c2\u00bfn de un dispositivo de hot electrons con elgrafeno, empezamos por caracterizar la interfaz entre grafeno y c60, sobre todoresumen | 149en funci\u00c2\u00bfn de una tensi\u00c2\u00bfn de puerta aplicada. La figura 6.4 ense\u00c2\u00bfa el dispositivo.Una capa de grafeno cvd es transferida sobre un sustrato de si++\/sio2en una geometr\u00c2\u00bfa similar a la fet. Litograf\u00c2\u00bfa y rie definen un canal de grafenode 2 mm de largo y 100 \u00c2\u00bfm de ancho, con electrodos de ti\/au (definidos porlitograf\u00c2\u00bfa y evaporaci\u00c2\u00bfn de metal) para el contacto el\u00c2\u00bfctrico. Una capa de c60de 280 nm de espesor se evapora sobre la muestra en ultra alto vac\u00c2\u00bfo (uhv)a trav\u00c2\u00bfs de una m\u00c2\u00bfscara r\u00c2\u00bfgida, definiendo una barra transversal al grafeno yuna \u00c2\u00bfrea de uni\u00c2\u00bfn grafeno\/c60 de 1 mm \u00c2\u00bf 100 \u00c2\u00bfm.El transporte a trav\u00c2\u00bfs de todo el dispositivo depende de manera significativaen el valor de la tensi\u00c2\u00bfn de puerta vg, como se muestra en la figura 6.5. Unabarrera de energ\u00c2\u00bfa a la interfaz entre grafeno y c60 la candidata ideal para explicarlas caracter\u00c2\u00bfsticas de rectificaci\u00c2\u00bfn del dispositivo. De una manera similarcomo en la uni\u00c2\u00bfn base-colector, podemos suponer una barrera de energ\u00c2\u00bfa enla interfaz grafeno\/c60 donde el lumo del c60 est\u00c2\u00bf a una energ\u00c2\u00bfa m\u00c2\u00bfs alta queel nivel de fermi, bloqueando el transporte en una direcci\u00c2\u00bfn. La sugerenciainteresante que emerge es que esta barrera de interfaz modula con la tensi\u00c2\u00bfnde puerta.Los modelos discutidos para inyecci\u00c2\u00bfn de hot electrons no son directamenteaplicables en este caso. El transporte a trav\u00c2\u00bfs de todo el dispositivo no esbal\u00c2\u00bfstico y no podemos cuantificar la ca\u00c2\u00bfda exacta de tensi\u00c2\u00bfn en la interfazgrafeno\/c60 solamente al saber vds. Podemos, sin embargo, explorar c\u00c2\u00bfmoestas cantidades depender\u00c2\u00bfn de vg. El conectar a tierra del grafeno tienela importante consecuencia de que todo el efecto de campo de la tensi\u00c2\u00bfn depuerta debe limitarse al grafeno. Esta observaci\u00c2\u00bfn nos permite concluir que,aunque no podemos extraer el valor exacto de la barrera, podemos evaluarsu modulaci\u00c2\u00bfn en funci\u00c2\u00bfn de la tensi\u00c2\u00bfn de puerta al examinar los cambios deen ids(vds) por diferentes valores de vg. En la figura 6.5 podemos ver que idscambia m\u00c2\u00bfs de tres \u00c2\u00bfrdenes de magnitud como consecuencia de los cambios enla barrera de grafeno\/c60. Si dicha interfaz se fuera a utilizar para la inyecci\u00c2\u00bfnde corrientes de esp\u00c2\u00bfn, su gran capacidad de ajuste de resistencia podr\u00c2\u00bfa sermuy \u00c2\u00bftil en para superar el desajuste de conductividad.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Charge and spin transport in graphene devices<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Charge and spin transport in graphene devices <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Luca Pietrobon &#8212; <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Pa\u00eds vasco\/euskal herriko unibertsitatea<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 05\/06\/2015<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Luis Eduardo Hueso Arroyo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Jos\u00e9 Mar\u00eda San Juan  nu\u00f1ez <\/li>\n<li>cristina Gomez polo (vocal)<\/li>\n<li>oscar C\u00e9spedes boldoba (vocal)<\/li>\n<li>andrey Chuvilin &#8212; (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Luca Pietrobon &#8212; El grafeno es una capa bidimensional (2d) de \u00c2\u00bftomos de carbono conectadospor enlaces \u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf\u00c2\u00bf2. [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[21536,57088,740,12909],"tags":[225919,50909,137032,231609,53237,231610],"class_list":["post-117575","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-conductividad","category-electricidad","category-magnetismo","category-pais-vasco-euskal-herriko-unibertsitatea","tag-andrey-chuvilin","tag-cristina-gomez-polo","tag-jose-maria-san-juan-nunez","tag-luca-pietrobon","tag-luis-eduardo-hueso-arroyo","tag-oscar-cespedes-boldoba"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/117575","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=117575"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/117575\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=117575"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=117575"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=117575"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}