{"id":133273,"date":"1997-01-01T00:00:00","date_gmt":"1997-01-01T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/influencia-del-desajuste-reticular-sobre-el-estado-de-relajacion-en-heteroepitaxias-semiconductoras\/"},"modified":"1997-01-01T00:00:00","modified_gmt":"1997-01-01T00:00:00","slug":"influencia-del-desajuste-reticular-sobre-el-estado-de-relajacion-en-heteroepitaxias-semiconductoras","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/ciencias-tecnologicas\/influencia-del-desajuste-reticular-sobre-el-estado-de-relajacion-en-heteroepitaxias-semiconductoras\/","title":{"rendered":"Influencia del desajuste reticular sobre el estado de relajacion en heteroepitaxias semiconductoras."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong>  Pacheco Romero Francisco Jose <\/strong><\/h2>\n<p>La posibilidad de crecer capas epitaxiales de alta calidad con parametros reticulares diferentes del sustrato permite una gran flexibilidad en el dise\u00f1o de dispositivos opticos y electronicos. La dificultad estriba en que el desajuste reticular induce defectos en la intercara sustrato-epicapa y dislocaciones de propagacion, que pueden propagarse en las capas superiores degradando la calidad del material.  en el presente trabajo de tesis se consideran tres sistemas heteroepitaxiales con diferente estado de deformacion\/relajacion y de ahi que la configuracion de defectos cristalinos presentes sea diferente:  . Ingaas\/gaas (mbe: epitaxia de haces moleculares). Son sistemas dise\u00f1ados para conseguir un estado de relajacion avanzado de forma que se pretende investigar la validez de diferentes capas amortiguadoras de ingaas.  . Gap\/si (almbe: epitaxia de haces moleculares en capas atomicas). En este sistema polar se pretende examinar la estructura de defectos asociada a un sistema de bajo desajuste reticular en que se persigue un crecimiento capa a capa (bidimensional).  . Qw-inas\/inp (cbe: epitaxia de haces quimicos). En este caso se espera la existencia de un crecimiento pseudomorfico. Se trata de averiguar el mecanismo (bidimensional o en forma de islas) en el que crece este tipo de pozos cuanticos, prestando una especial atencion a la distribucion composicional dentro de dicho pozo a nivel subnanometrico.  entre las conclusiones obtenidas en el presente trabajo de tesis cabe destacar las siguientes:  . El signo del desajuste reticular entre una epicapa y un sustrato condiciona el tipo de defectos que apareceran para la relajacion de la deformacion debida al desajuste reticular.  . Los tratamientos termicos y la temperatura de crecimiento tienen un efecto critico en la morfolog\u00eda y distribucion de defectos tanto en el seno de las capas epitaxiadas como en la superficie.  . Se ha demostrado que interrupciones en el crecimie<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Influencia del desajuste reticular sobre el estado de relajacion en heteroepitaxias semiconductoras.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Influencia del desajuste reticular sobre el estado de relajacion en heteroepitaxias semiconductoras. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0  Pacheco Romero Francisco Jose <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 C\u00e1diz<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 01\/01\/1997<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Rafael Garcia Roja<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Francisco Javier Piqueras De Noriega <\/li>\n<li> Cornet I Claveria Albert (vocal)<\/li>\n<li> Planell I Estani Jos\u00e9 Antonio (vocal)<\/li>\n<li>Pere Roura Grabulosa (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Pacheco Romero Francisco Jose La posibilidad de crecer capas epitaxiales de alta calidad con parametros reticulares diferentes 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