{"id":14662,"date":"2018-03-09T09:01:27","date_gmt":"2018-03-09T09:01:27","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/caracterizacion-de-suboxidos-de-silicio-obtenidos-por-la-tecnica-pecvd\/"},"modified":"2018-03-09T09:01:27","modified_gmt":"2018-03-09T09:01:27","slug":"caracterizacion-de-suboxidos-de-silicio-obtenidos-por-la-tecnica-pecvd","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/caracterizacion-de-suboxidos-de-silicio-obtenidos-por-la-tecnica-pecvd\/","title":{"rendered":"Caracterizaci\u00f3n de sub\u00f3xidos de silicio obtenidos por la t\u00e9cnica pecvd"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Ali Benmessaoud <\/strong><\/h2>\n<p>Se ha escogido la t\u00e9cnica pecvd para obtener dep\u00f3sitos de sub\u00f3xido de silicio, siox, de espesores del orden de la micra, sobre substratros de si de dos pulgadas. Hemos logrado dep\u00f3sitos con contenildos de ox\u00edgeno entre 1.3 y 2.0, y un intervalo de \u00edndices de refracci\u00f3n comprendidos entre 1.96 (pr\u00f3ximo al si2n4) y 1.46 (sio2). La estructura (en particular, la porosidad), uniformidad y tensi\u00f3n de las capas son mejores cuanto menor es el contenido de ox\u00edgeno. Adem\u00e1s, las capas crecidas contienen impurezas en forma de enlaces si-h, n-h, si-oh y h2o. El contenido de impurezas varia de forma gradual desde capas pobles en ox\u00edgeno con una gran cantidad de enlaces si-h y n-h, y nulo contenido de si-oh h2o, y capas de estructura pr\u00f3xima al \u00f3xido estequiom\u00e9trico, con nulo contenido de enlaces si-h y n-h, y alto contenido de si-oh y h2o. Se ha investigado las condiciones de temperatura, potencia y presi\u00f3n de los procesos de dep\u00f3sito, susceptibles de mejora de la calidad de las capas crecidas. El aumento de la temperatura de dep\u00f3sito (hasta 350\u00c2\u00bac) y de la potencia (hasta 50 w, l\u00edmite impuesto por la disminuci\u00f3n de uniformidad), disminuye el contenido de impurezas de las capas; sin embargo, el aumento gradual de la tensi\u00f3n con el aumento del contenido del ox\u00edgeno de las capas, aconseja que los dep\u00f3sitos se crezcan a menores valroes de temperatura y potencia en la obtenci\u00f3n de capas ricas en ox\u00edgeno. por lo que se refiere a la presi\u00f3n, valores bajos (100 m torr), favorecen la disminuci\u00f3n de impurezas; sin embargo, el aumento del orden estructural que comporta el aumento de la presi\u00f3n (hasta 300 m torr), inhibe el acomodo de impurezas en capas ricas en ox\u00edgeno,  por lo que la calidad de los dep\u00f3sitos se ver\u00e1 favorecida procedimiento a un aumento de la presi\u00f3n a medida que se crezcan capas con un previsible mayor contenido de si-oh y h2o. La mejora de las condiciones de dep\u00f3sito no soluciona dos problemas fundamentales; por<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Caracterizaci\u00f3n de sub\u00f3xidos de silicio obtenidos por la t\u00e9cnica pecvd<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Caracterizaci\u00f3n de sub\u00f3xidos de silicio obtenidos por la t\u00e9cnica pecvd <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Ali Benmessaoud <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Aut\u00f3noma de barcelona<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 17\/12\/2001<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Jordi Pascual Gainza<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: joan Esteve pujol <\/li>\n<li>Carlos Dominguez horna (vocal)<\/li>\n<li>Jos\u00e9 Millan gomez (vocal)<\/li>\n<li>josep Calderer cardona (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Ali Benmessaoud Se ha escogido la t\u00e9cnica pecvd para obtener dep\u00f3sitos de sub\u00f3xido de silicio, siox, de 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