{"id":26181,"date":"2003-06-10T00:00:00","date_gmt":"2003-06-10T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-fabricacion-y-caracterizacion-de-diodos-electroluminiscentes-basados-en-pozos-cuanticos-de-ingan\/"},"modified":"2003-06-10T00:00:00","modified_gmt":"2003-06-10T00:00:00","slug":"crecimiento-fabricacion-y-caracterizacion-de-diodos-electroluminiscentes-basados-en-pozos-cuanticos-de-ingan","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/politecnica-de-madrid\/crecimiento-fabricacion-y-caracterizacion-de-diodos-electroluminiscentes-basados-en-pozos-cuanticos-de-ingan\/","title":{"rendered":"Crecimiento, fabricaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes basados en pozos cu\u00e1nticos de ingan"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Fernando Bernab\u00e9 Naranjo Vega <\/strong><\/h2>\n<p>Teniendo en cuenta la energ\u00eda del gap de los binarios que forman el ternario ingan (gan, 3.4 ev; inv, 0.9 ev), es f\u00e1cil ver que con este material se puede abarcar todo el espectro visible. El objetivo de esta tesis es estudiar el crecimiento por mbe y las propiedades del ingan, con la finalidad de fabricar un diodo electroluminiscente eficiente con capa activa compuesta por pozos cu\u00e1nticos de ingan con barreras de gan. La fabricaci\u00f3n del led conlleva tambi\u00e9n el estudio del dopaje tipo p en el gan, empleando magnesio.  el crecimiento de capas gruesas de ingan se ha estudiado como paso previo al de pozos cu\u00e1nticos. Se ha determinado una temperatura de inicio de evaporaci\u00f3n del indio de la superficie de crecimiento en torno a 560\u00c2\u00bac, obteni\u00e9ndose las mejores capas para temperaturas de substrato ligeramente superiores a \u00e9sta y con relaci\u00f3n iii\/v ligeramente superior a la unidad. En el apartado \u00f3ptico, se ha observado que la amplitud de las fluctuaciones locales en el contenido de indio en las muestras aumenta cuando se incrementa el contenido promedio de \u00e9ste.  en el crecimiento de pozos cu\u00e1nticos de ingan con barreras de gan, se obtienen los mejores resultados cuando se mantiene fijo el flujo de galio durante pozo y barrera y se favorece la formaci\u00f3n de una capa de indio segregada a la superficie durante el crecimiento del pozo. A partir de las propiedades de la emisi\u00f3n en cada caso se establece un mayor dominio sobre la energ\u00eda de la misma de los campos piezoel\u00e9ctricos en pozos de espesor mayor de 4 mm y de las fluctuaciones de indio en pozos en \u00e9ste menor de 3 mm.  con la t\u00e9cnica de crecimiento de pozos cu\u00e1nticos desarrollada, y empleando cinco pozos de inxga(1-x)n( 2 nm)\/gan ( 5 nm) como capa activa, se han crecido y fabricado dispositivos emitiendo desde el ultravioleta cercano (3.4 ev) hasta el verde (2.4 ev) variando el contenido de indio de los pozos desde 0% hasta 25% de indio. Como m\u00e9todo de mejora de los dispo<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento, fabricaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes basados en pozos cu\u00e1nticos de ingan<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento, fabricaci\u00f3n y caracterizaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes basados en pozos cu\u00e1nticos de ingan <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Fernando Bernab\u00e9 Naranjo Vega <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 06\/10\/2003<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Enrique Calleja Pardo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: el\u00edas Mu\u00f1oz merino <\/li>\n<li> Ruiz y ruiz de gopegui Ana (vocal)<\/li>\n<li>Jos\u00e9 Manuel Calleja pardo (vocal)<\/li>\n<li>jean Massies (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Fernando Bernab\u00e9 Naranjo Vega Teniendo en cuenta la energ\u00eda del gap de los binarios que forman el 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