{"id":26254,"date":"2003-10-10T00:00:00","date_gmt":"2003-10-10T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-y-fabricacion-de-transistores-hemt-de-algan-gan-por-epitaxia-de-haces-moleculares\/"},"modified":"2003-10-10T00:00:00","modified_gmt":"2003-10-10T00:00:00","slug":"crecimiento-y-fabricacion-de-transistores-hemt-de-algan-gan-por-epitaxia-de-haces-moleculares","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/politecnica-de-madrid\/crecimiento-y-fabricacion-de-transistores-hemt-de-algan-gan-por-epitaxia-de-haces-moleculares\/","title":{"rendered":"Crecimiento y fabricaci\u00f3n de transistores hemt de algan\/gan por epitaxia de haces moleculares"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Ana Jim\u00e9nez Mart\u00edn <\/strong><\/h2>\n<p>Los semiconductores de nitruro de galio (gan) y sus aleaciones (algan, ingan) han surgido en la \u00faltima d\u00e9cada como uno de los materiales m\u00e1s prometedores en el campo de los transistores de efecto campo para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Su principal atractivo radica en la anchura del gap (gan 3.4 ev), que le confiere una gran estabilidad t\u00e9rmica y tensi\u00f3n de ruptura (3mv\/cm). A pesar de los valores r\u00e9cord obtenidos en transistores de efecto campo basados en algan\/gan, \u00e9stos distan mucho a\u00fan de los predichos mediante c\u00e1lculos te\u00f3ricos. Dos son las razones principales de esta discrepancia, por un lado la calidad del material, y por otro lado, la poca madurez que presenta el procesado tecnol\u00f3gico de fabricaci\u00f3n de dispositivos.  el principal objetivo de esta tesis ha sido el crecimiento de nitruros del grup iii (gan y alxga1-xn\/gan) por epitaxia de haces moleculares (mbe) asistido por plasma de nitr\u00f3geno, utilizando capas de gan sobre zafiro crecidas por movpe como substratos (definidos como pseudosubtratos). Una de las principales dificultades encontradas en la optimizaci\u00f3n del crecimiento ha sido la reproducibilidad de las condiciones de crecimiento ya que la ventana \u00f3ptima de temperaturas es muy estrecha (de unos 15\u00c2\u00bac). Para conseguir dicha optimizaci\u00f3n, se ha utilizado una serie de t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n (estructurales, \u00f3pticas y el\u00e9ctricas) que confirman la calidad del material. de estos resultados tambi\u00e9n se desprende que la calidad cristalina de la capa epitaxiada, as\u00ed como una tensi\u00f3n biaxial comprensiva residual, es una herencia del pseudosubtrato utilizado. Todo ello demuestra la gran capacidad del sistema de mbe para el crecimiento quasi-homoepitaxial.  la caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica de las heteroestructuras de algan\/gan han confirmado la presencia de una canal de electrones bidimensional (2deg) en la interfase, obteni\u00e9ndose  movilidades hall de hasta 1021 y 3572 cm2\/vs a 300k y 77<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento y fabricaci\u00f3n de transistores hemt de algan\/gan por epitaxia de haces moleculares<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento y fabricaci\u00f3n de transistores hemt de algan\/gan por epitaxia de haces moleculares <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Ana Jim\u00e9nez Mart\u00edn <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 10\/10\/2003<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Enrique Calleja Pardo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: el\u00edas Mu\u00f1oz merino <\/li>\n<li>klaus Ploog (vocal)<\/li>\n<li>zahia Bougrioua (vocal)<\/li>\n<li> Rojo alaminos Juan  m. (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Ana Jim\u00e9nez Mart\u00edn Los semiconductores de nitruro de galio (gan) y sus aleaciones (algan, ingan) han surgido [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[16008],"tags":[76029,14753,5384,76030,14804,76031],"class_list":["post-26254","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-politecnica-de-madrid","tag-ana-jimenez-martin","tag-elias-munoz-merino","tag-enrique-calleja-pardo","tag-klaus-ploog","tag-rojo-alaminos-juan-m","tag-zahia-bougrioua"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/26254","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=26254"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/26254\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=26254"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=26254"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=26254"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}