{"id":31988,"date":"1997-01-01T00:00:00","date_gmt":"1997-01-01T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-de-capas-dopadas-tipo-p-de-sige-sobre-si-mediante-epitaxia-en-fase-solida-para-su-aplicacion-en-la-fabricacion-de-detectores-de-infrarrojo-lejano\/"},"modified":"1997-01-01T00:00:00","modified_gmt":"1997-01-01T00:00:00","slug":"crecimiento-de-capas-dopadas-tipo-p-de-sige-sobre-si-mediante-epitaxia-en-fase-solida-para-su-aplicacion-en-la-fabricacion-de-detectores-de-infrarrojo-lejano","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/ciencias-tecnologicas\/crecimiento-de-capas-dopadas-tipo-p-de-sige-sobre-si-mediante-epitaxia-en-fase-solida-para-su-aplicacion-en-la-fabricacion-de-detectores-de-infrarrojo-lejano\/","title":{"rendered":"Crecimiento de capas dopadas tipo p de sige sobre si mediante epitaxia en fase solida para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Andres Rodriguez Dominguez <\/strong><\/h2>\n<p>Esta tesis trata sobre el crecimiento epitaxial de capas de sige sobre si con las caracteristicas necesarias para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano (fraccion de ge en el intervalo 0.2&lt;x&lt;0.4, espesor de capa del orden de 20 nm y concentracion de huecos superior a 5&#215;10 cm3) mediante la tecnica de pitaxia en fase solida partiendo de material amorfo en contacto con sustratos de si. El dopado se realizo mediante implantacion de b. La caracterizacion de las capas crecidas se realizo desde el punto de vista estructural y electrico. Mediante microscopia electronica de transmision se caracterizaron los defectos presentes en las capas y su distribucion en profundidad. La difractometria de rayos x permitio determinar el desacoplo de red entre las capas y los sustratos y su grado medio de deformacion elastica, evaluar su calidad cristalografica general y obtener la densidad de b incorporado sustitucionalmente. La espectrometria de iones retrodispersados en la modalidad de haz incidente alineado con los ejes del cristal se utilizo para determinar el grado de deformacion de las capas en funcion de la profundidad. Las medidas basadas en el efecto hall permitieron obtener la concentracion de portadores. El b se incorpora a las capas de forma sustitucional con concentraciones constantes en todo el espesor dopado del orden de 24&#215;1020 cm-3. Como consecuencia se produce una reduccion del desacoplo en red entre la capa de sige y el sustrato, que se manifiesta en mayores espesores de las capas sin defectos y en un mayor grado de coherencia de las mismas. Debido a este efecto ha sido posible crecer capas de sige de x=0.21 dopadas con b y de unos 27 nm de espesor coherentes con el sustrato y totalmente libres de defectos. Estas capas cumplen los requisitos minimos necesarios para la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento de capas dopadas tipo p de sige sobre si mediante epitaxia en fase solida para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento de capas dopadas tipo p de sige sobre si mediante epitaxia en fase solida para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Andres Rodriguez Dominguez <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 01\/01\/1997<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Tomas Rodriguez Rodriguez<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Jos\u00e9 Mar\u00eda Ruiz Perez <\/li>\n<li>Ramon Morante Juan (vocal)<\/li>\n<li>Jos\u00e9 Carvalho Soares (vocal)<\/li>\n<li>Betty Mireya Le\u00f3n Fong (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Andres Rodriguez Dominguez Esta tesis trata sobre el crecimiento epitaxial de capas de sige sobre si con 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