{"id":56640,"date":"2018-03-09T22:44:25","date_gmt":"2018-03-09T22:44:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/optimizacion-de-un-simulador-3d-paralelo-aplicado-al-estudio-de-fluctuaciones-de-parametros-intra%c2%adnsecos-en-dispositivos-hemt\/"},"modified":"2018-03-09T22:44:25","modified_gmt":"2018-03-09T22:44:25","slug":"optimizacion-de-un-simulador-3d-paralelo-aplicado-al-estudio-de-fluctuaciones-de-parametros-intra%c2%adnsecos-en-dispositivos-hemt","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/optimizacion-de-un-simulador-3d-paralelo-aplicado-al-estudio-de-fluctuaciones-de-parametros-intra%c2%adnsecos-en-dispositivos-hemt\/","title":{"rendered":"Optimizaci\u00f3n de un simulador 3d paralelo aplicado al estudio de fluctuaciones de par\u00e1metros intr\u00ednsecos en dispositivos hemt."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Natalia Seoane Iglesias <\/strong><\/h2>\n<p>Los dispositivos semiconductores est\u00e1n siendo escalados a dimensiones del orden de los nan\u00f3metros con el objetivo de mejorar cada vez m\u00e1s su rendimiento. El escalado tan dr\u00e1stico de los dispositivos aumenta la importancia de determinadas fuentes de fluctuaciones relacionadas con la naturaleza atom\u00edstica de la carga y la materia, que se convierten en factores determinantes de la fiabilidad y el rendimiento de los dispositivos, y por lo tanto de los circuitos fabricados con ellos.  en el pasado, el desajuste en las curvas caracter\u00edsticas de los transistores estaba principalmente asociado con variaciones en los par\u00e1metros de fabricaci\u00f3n, lo que generaba variaciones macrosc\u00f3picas en el grosor de las capas, en la geometr\u00eda y en el dopado. En cambio, las fuentes de fluctuaciones que cobran importancia con la reducci\u00f3n del tama\u00f1o de los dispositivos son independientes de los procesos litogr\u00e1ficos y no pueden ser eliminadas a trav\u00e9s de mejoras en el proceso de fabricaci\u00f3n.  As\u00ed que, mientras que en las simulaciones num\u00e9ricas convencionales los dispositivos se trataban como dispositivos perfectos, con interfaces y fronteras suaves y distribuciones continuas de dopado, ahora ya no ser\u00e1 posible considerar un \u00fanico dispositivo perfecto sino que ser\u00e1 necesario simular un conjunto de transistores diferentes a nivel microsc\u00f3pico, puesto que, si se considera un conjunto de dispositivos, la inclusi\u00f3n de diversos tipos de fluctuaciones de par\u00e1metros intr\u00ednsecos provocar\u00e1 variaciones estad\u00edsticas entre ellos.  las fuentes de fluctuaciones de par\u00e1metros intr\u00ednsecos que afectan a los dispositivos son de naturaleza tridimensional, por lo que, para capturar correctamente los efectos que provocan es necesario realizar simulaciones 3d. Otra consideraci\u00f3n a tener en cuenta es la necesidad de simular un conjunto estad\u00edstico de dispositivos lo suficientemente grande que permita extraer con precisi\u00f3n suficiente los par\u00e1metros que caracterizan la distribuci\u00f3n e<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Optimizaci\u00f3n de un simulador 3d paralelo aplicado al estudio de fluctuaciones de par\u00e1metros intr\u00ednsecos en dispositivos hemt.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Optimizaci\u00f3n de un simulador 3d paralelo aplicado al estudio de fluctuaciones de par\u00e1metros intr\u00ednsecos en dispositivos hemt. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Natalia Seoane Iglesias <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Santiago de compostela<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 18\/01\/2007<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Antonio Garcia Loureiro<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: daniel Pardo collantes <\/li>\n<li>diego Cabello ferrer (vocal)<\/li>\n<li>Andr\u00e9s Godoy medina (vocal)<\/li>\n<li>\u00f3scar Plata gonz\u00e1lez (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Natalia Seoane Iglesias Los dispositivos semiconductores est\u00e1n siendo escalados a dimensiones del orden de los nan\u00f3metros con 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