{"id":74533,"date":"2018-03-09T23:19:36","date_gmt":"2018-03-09T23:19:36","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/modelado-y-analisis-de-los-mecanismos-de-activacion-electrica-del-boro-en-procesos-tecnologicos-en-silicio\/"},"modified":"2018-03-09T23:19:36","modified_gmt":"2018-03-09T23:19:36","slug":"modelado-y-analisis-de-los-mecanismos-de-activacion-electrica-del-boro-en-procesos-tecnologicos-en-silicio","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/modelado-y-analisis-de-los-mecanismos-de-activacion-electrica-del-boro-en-procesos-tecnologicos-en-silicio\/","title":{"rendered":"Modelado y an\u00e1lisis de los mecanismos de activaci\u00f3n el\u00e9ctrica del boro en procesos tecnol\u00f3gicos en silicio"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Mar\u00eda Aboy Cebri\u00e1n <\/strong><\/h2>\n<p>Las prestaciones de los circuitos integrados (ic) han ido mejorando continuamente durante los \u00faltimos a\u00f1os. Los dispositivos que los forman son cada vez m\u00e1s peque\u00f1os, y en la actualidad, dentro de la tecnolog\u00eda de ultra-elevada escala de integraci\u00f3n la longitud de puerta de los dispositivos mos es inferior a los 100 nm. Esto los hace, por una parte, ser extremadamente r\u00e1pidos y, por otra, permite integrar dentro de un chip miles de millones de estos dispositivos, dando como resultado circuitos integrados muy potentes y con una gran capacidad de c\u00e1lculo. Esta tendencia hist\u00f3rica se plasma en la conocida ley de moore, seg\u00fan la cual la reducci\u00f3n de tama\u00f1o de los dispositivos es tal que cada dos a\u00f1os se duplica el n\u00famero de dispositivos por ic, con la consiguiente mejora de las prestaciones del mismo, y sin que ello suponga un encarecimiento del ic. Esto ha implicado una labor de investigaci\u00f3n y desarrollo continuo para optimizar los procesos de la fabricaci\u00f3n de los ics. Sin embargo, debido a la escala nanom\u00e9trica de los dispositivos, est\u00e1n apareciendo limitaciones f\u00edsicas ligadas a los materiales y los procesos que hacen cada vez m\u00e1s compleja la fabricaci\u00f3n de tales dispositivos.  el international technology roadmap for semiconductors (itrs) especifica claramente los desaf\u00edos abiertos para las futuras generaciones tecnol\u00f3gicas. entre los aspectos m\u00e1s destacados se subraya el important\u00edsimo papel que juegan el modelado y la simulaci\u00f3n de los procesos tecnol\u00f3gicos como una de las pocas herramientas capaces de reducir el coste y el tiempo de desarrollo, ya que la fabricaci\u00f3n de lotes experimentales a este nivel es altamente costosa.  los desaf\u00edos tecnol\u00f3gicos apuntados por el itrs abarcan todas las etapas del proceso de fabricaci\u00f3n, teniendo especial importancia aquellos relacionados con el procesado del semiconductor por corresponder a la formaci\u00f3n de la parte activa de los dispositivos (front-end processing)<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Modelado y an\u00e1lisis de los mecanismos de activaci\u00f3n el\u00e9ctrica del boro en procesos tecnol\u00f3gicos en silicio<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Modelado y an\u00e1lisis de los mecanismos de activaci\u00f3n el\u00e9ctrica del boro en procesos tecnol\u00f3gicos en silicio <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Mar\u00eda Aboy Cebri\u00e1n <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Valladolid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 13\/06\/2005<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li> Pelaz Montes M\u00aa Lourdes<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal:  Bail\u00f3n vega Luis alberto <\/li>\n<li> L\u00f3pez villanueva Juan  Antonio (vocal)<\/li>\n<li>daniel Pardo collantes (vocal)<\/li>\n<li>albert Cornet i calveras (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Mar\u00eda Aboy Cebri\u00e1n Las prestaciones de los circuitos integrados (ic) han ido mejorando continuamente durante los \u00faltimos 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