{"id":78636,"date":"2006-10-02T00:00:00","date_gmt":"2006-10-02T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-por-mbe-de-pozos-cuanticos-de-ingaasn-sobre-gaas-111b-y-100-para-su-aplicacion-en-laseres-de-semiconductor\/"},"modified":"2006-10-02T00:00:00","modified_gmt":"2006-10-02T00:00:00","slug":"crecimiento-por-mbe-de-pozos-cuanticos-de-ingaasn-sobre-gaas-111b-y-100-para-su-aplicacion-en-laseres-de-semiconductor","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/crecimiento-por-mbe-de-pozos-cuanticos-de-ingaasn-sobre-gaas-111b-y-100-para-su-aplicacion-en-laseres-de-semiconductor\/","title":{"rendered":"Crecimiento por mbe de pozos cu\u00e1nticos de ingaasn sobre gaas (111)b y (100) para su aplicaci\u00f3n en l\u00e1seres de semiconductor"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Javier Miguel S\u00e1nchez <\/strong><\/h2>\n<p>En este trabajo se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de ingaasn sobre gaas (111)b y (100), para su aplicaci\u00f3n al desarrollo de dispositivos optoelectr\u00f3nicos para comunicaciones \u00f3pticas, basados en la tecnolog\u00eda bien desarrollada del gaas.  la utilizaci\u00f3n de sustratos gaas (111)b viene motivada por las propiedades que podr\u00edan presentar las heteroestructuras tensionadas crecidas sobre este tipo de orientaci\u00f3n, similares a las del sistema ingaas\/gaas (111)b: existencia te\u00f3rica de un campo piezoel\u00e9ctrico, distintas propiedades para el espesor de capa cr\u00edtico cr\u00edtico y la posibilidad de realizar dispositivos electro-\u00f3pticos no lineales.  se presenta la dependencia de la calidad \u00f3ptica y estructural de pozos cu\u00e1nticos de ingaasn sobre sustratos desorientados de gaas (111)b con los pa-r\u00e1-me-tros de crecimiento: velocidad de crecimiento, flujo de ars\u00e9nico, temperatura de sustrato. Esta calidad es estudiada mediante diferentes t\u00e9cnicas estructurales (microscop\u00eda de transmisi\u00f3n de electrones, de fuerza at\u00f3mica, de barrido de electrones y  nomarski) as\u00ed como t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n \u00f3ptica (fotoluminiscencia y catodoluminiscencia). Se observa c\u00f3mo es necesario un elevado flujo de ars\u00e9nico y una baja temperatura de crecimiento para optimizar la emisi\u00f3n de los pozos cu\u00e1nticos.  para el crecimiento de nitruros diluidos en esta tesis doctoral se caracteriza y optimiza un plasma de nitr\u00f3geno generado por radiofrecuencia, y se presenta un m\u00e9todo para caracterizar plasmas usandos en crecimiento in-situ, utilizando para ello una sonda bayard-alpert. Mediante este m\u00e9todo, se puede detectar la presencia de iones llegando sobre el sustrato durante el crecimiento. la aplicaci\u00f3n de campos magn\u00e9ticos para deflectar los iones del plasma demuestra que la calidad estructural  y \u00f3ptica de los pozos cu\u00e1nticos de ingaasn es muy dependiente de la presencia de iones durante el crecimento: al reducir la d<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento por mbe de pozos cu\u00e1nticos de ingaasn sobre gaas (111)b y (100) para su aplicaci\u00f3n en l\u00e1seres de semiconductor<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento por mbe de pozos cu\u00e1nticos de ingaasn sobre gaas (111)b y (100) para su aplicaci\u00f3n en l\u00e1seres de semiconductor <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Javier Miguel S\u00e1nchez <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 10\/02\/2006<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>\u00e1lvaro De Guzm\u00e1n Fern\u00e1ndez Gonz\u00e1lez<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: enrique Calleja pardo <\/li>\n<li>achim Trampert (vocal)<\/li>\n<li>mark Hopkinson (vocal)<\/li>\n<li> S\u00e1nchez mart\u00ednez Jorge  Juli\u00e1n (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Javier Miguel S\u00e1nchez En este trabajo se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de ingaasn 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