{"id":82656,"date":"2000-01-01T00:00:00","date_gmt":"2000-01-01T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/caracterizacion-y-modelado-de-transistores-microondas-mesfet-hemt-bajo-iluminacion-laser\/"},"modified":"2000-01-01T00:00:00","modified_gmt":"2000-01-01T00:00:00","slug":"caracterizacion-y-modelado-de-transistores-microondas-mesfet-hemt-bajo-iluminacion-laser","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/ciencias-tecnologicas\/caracterizacion-y-modelado-de-transistores-microondas-mesfet-hemt-bajo-iluminacion-laser\/","title":{"rendered":"Caracterizacion y modelado de transistores microondas (mesfet\/hemt) bajo iluminacion laser."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Cesar Navarro Meana <\/strong><\/h2>\n<p>En esta tesis se presentan los resultados obtenidos en el amplio estudio realizado sobre la interacci\u00f3n \u00f3ptica-microondas, concretado sobre la caracterizaci\u00f3n experimental y modelado electrico del comportamiento de los transistores microondas (mesfet y hemt), en sus distintos regimenes de operaci\u00f3n, cuando sobre ellos incide un has de radiaci\u00f3n laser. La principal motivaci\u00f3n y consideraci\u00f3n que se han mantenido siempre presente en la elaboraci\u00f3n de este trabajo ha sido la supremacia de las ventajas frente a los inconvenientes que esta nueva tenolog\u00eda opto-electr\u00f3nica nos ofrece. Como paso previo a la elaboraci\u00f3n de los distintos modelos, se establecieron las condiciones necesarias para poner de manifiesto este tipo de interacci\u00f3n y se ide\u00f3 un dispositivo opto-electr\u00f3nico autom\u00e1tico de medida capaz de llevar a cabo de un modo sencillo, preciso y repetitivo la iluminaci\u00f3n de estos dispositivos. El modelado \u00f3ptico de estos transistores no ha sido realizado incorporando nuevos elementos a sus circuitos equivalentes sino mediante el establecimiento de nuevas leyes \u00f3pticas de variaci\u00f3n para cada uno de los componentes del circuito equivalente que se mostraron dependientes de la intensidad de potencia \u00f3ptica incidente. Los modelos as\u00ed desarrollados son facilmente implementables en simuladores no line\u00e1les comerciales como libra, mds, etc. las potenciales aplicaciones que este tipo de interacci\u00f3n nos ofrece se han mantenido siempre como referencia final de esta tesis. As\u00ed, con objeto de ilustrar algunas de sus posibles aplicaciones se han desarrollado dos demostradores de funci\u00f3n microondas mmic controlados \u00f3pticamente: un amplificador a 2, 4 ghz con control \u00f3ptico de ganancia de unos 20 db y un oscilador con sintonia \u00f3ptica de frecuencia de unos 380 mhz en banda ku.#<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Caracterizacion y modelado de transistores microondas (mesfet\/hemt) bajo iluminacion laser.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Caracterizacion y modelado de transistores microondas (mesfet\/hemt) bajo iluminacion laser. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Cesar Navarro Meana <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Cantabria<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 01\/01\/2000<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Angel Mediavilla Sanchez<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: eduardo Artal latorre <\/li>\n<li>Javier Gismero menoyo (vocal)<\/li>\n<li>Jos\u00e9 Rodriguez tellez (vocal)<\/li>\n<li>adolfo Comeron tejero (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Cesar Navarro Meana En esta tesis se presentan los resultados obtenidos en el amplio estudio realizado sobre 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