{"id":84380,"date":"2000-05-05T00:00:00","date_gmt":"2000-05-05T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/estudio-de-la-estabilidad-termica-del-a-sinxh-producido-mediante-la-tecnica-de-plasma-ecr-cvd\/"},"modified":"2000-05-05T00:00:00","modified_gmt":"2000-05-05T00:00:00","slug":"estudio-de-la-estabilidad-termica-del-a-sinxh-producido-mediante-la-tecnica-de-plasma-ecr-cvd","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/estudio-de-la-estabilidad-termica-del-a-sinxh-producido-mediante-la-tecnica-de-plasma-ecr-cvd\/","title":{"rendered":"Estudio de la estabilidad termica del a-sinx:h producido mediante la tecnica de plasma ecr-cvd"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong>  Martinez Viviente Felix Lorenzo <\/strong><\/h2>\n<p>La t\u00e9cnica de deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor activada por resonancia cilcotr\u00f3nica de electrones ecr-cvd ha sido empleada para crecer l\u00e1minas delgadas de nitruro de silicio hidrogenado (sinx:h) de varias composiciones. este diel\u00e9ctrico de elevada permitividad tiene numerosas aplicaciones en microelectr\u00f3nica, y reune algunas caracter\u00edsticas adecuadas para sustituri o complementar al \u00f3xido de silicio como aislante de puerta en transistores de efecto campo de estructura mos en aquellos casos en que la continua reducci\u00f3nd e las dimensiones laterales de los dispositivos conduce a alcanzar el m\u00ednimo espesor de \u00f3xido tolerable.  con posterioridad al crecimeinto, las muestras fueron sometidas a tratamientos t\u00e9rmicos r\u00e1pidos rta a temperaturas comprendidas entre 300\u00c2\u00ba c y 1050\u00c2\u00ba c, con el objetivo de estudiar la evoluci\u00f3n de la spropeidades del sinx:h en funci\u00f3n de la temperatura de estos procesos.  un amplio n\u00famero de t\u00e9cnicas anal\u00edticas y espectrosc\u00f3picas han sido utilizadas para analizar el comprotamiento del sinx:h frente a la temperatura. la composici\u00f3n ha sido estudidiada mediante t\u00e9cnicas de analisis de haces de iones: rbs y erda. La estructura de enlaces del material ha sido analizada mediante espectros copia infrarroja, mientras que la simperfecciones presentes en la red de enlaces fueron estudiadas por resonancia de esp\u00edn electr\u00f3nico. las propiedades de absorci\u00f3n \u00f3ptica han sido estudiadas mediante espectroscopia en el ultravioleta-visible. Por \u00faltimo se realizaron estructuras metal-nitruro-silicio para investigar las caracter\u00edsticas el\u00e9ctrica sy de intercara mediante medidas i-v y c-v.  las conclusiones del trabajo han permitido poner de manifiesto el papel determinante que desempe\u00f1a el hidr\u00f3geno en las propeidades del sinx:h el hidr\u00f3geno se puede encontrar enlazado tanto a silicio como a nitr\u00f3geno, as\u00ed como, atrapado en en las microcavidades de la red sin formar enlaces. para temperaturas elevad<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Estudio de la estabilidad termica del a-sinx:h producido mediante la tecnica de plasma ecr-cvd<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Estudio de la estabilidad termica del a-sinx:h producido mediante la tecnica de plasma ecr-cvd <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0  Martinez Viviente Felix Lorenzo <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Complutense de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 05\/05\/2000<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li> Martil De La Plaza Ignacio<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Juan  manuel Rojo  alaminos <\/li>\n<li> Martinez duart Jos\u00e9 Manuel (vocal)<\/li>\n<li>Juan Piqueras piqueras (vocal)<\/li>\n<li>silvia Garcia sanchez (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Martinez Viviente Felix Lorenzo La t\u00e9cnica de deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor activada por resonancia cilcotr\u00f3nica 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