{"id":84763,"date":"2018-03-10T00:09:08","date_gmt":"2018-03-10T00:09:08","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/caracterizacion-electrica-de-estructuras-mis-de-nitruro-de-silicio-crecido-por-ecr-cvd\/"},"modified":"2018-03-10T00:09:08","modified_gmt":"2018-03-10T00:09:08","slug":"caracterizacion-electrica-de-estructuras-mis-de-nitruro-de-silicio-crecido-por-ecr-cvd","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/caracterizacion-electrica-de-estructuras-mis-de-nitruro-de-silicio-crecido-por-ecr-cvd\/","title":{"rendered":"Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong>  Pelaez Carranza Rosa M. <\/strong><\/h2>\n<p>A lo largo de este trabajo se ha llevado a cabo la caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica de estructuras metal-aislante-semiconductor en las cuales el denominador com\u00fan ha sido el aislante utilizado: nitruro de silicio depositado mediante el m\u00e9todo ecr-cvd. De este modo se han caracterizado dos tipos de muestras unas con sustrato de silico y otras con sustrato de fosfuro de indio. Las tecnicas de caracterizacion utilizadas han sido las m\u00e1s estandar para la caracterizaci\u00f3n de estructuras mis: tecnicas basadas en medidas capacidad-tesion y la tecnica dlts.  por otro lado, se ha llevado a cabo el desarrollo de una nueva t\u00e9cnica de caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica de defectos en la interfase aislante-semiconductor basada en la medida de transitorios de conductancia. Los resultados obtenidos mediante esta nueva tecnica de caracterizacion electrica son perfectamente comparables a los obtenidos mediante tecnicas de caracterizacion m\u00e1s establecidas como es la tecnica dlts. Esta nueva tecnica de caracterizaci\u00f3n se basa en la observaci\u00f3n de un transitorio en la medida de la conductancia presentada por la muestra cuando est\u00e1 es sometida a un determinado pulso de tensi\u00f3n. dichos transitorios aparecen a temperatura ambiente variando la frecuencia y a frecuencia constante variando la temperatura de medida. Se observa en dichos transitorios, que su forma puede ser creciente o decreciente en funci\u00f3n de la frecuencia o temperatura de medida. La explicaci\u00f3n cualitativa de este fen\u00f3meno experimental se basa en la utilizaci\u00f3n del modelo digs de defectos en la interfase aislante-semiconductor mediante el cual se llega a que, en determinadas estructuras, los defectos no est\u00e1n localizados en el plano de la uni\u00f3n sino que se encuentran distribuidos espacialmente en el interior del material semiconductor. Tras realizar la formulaci\u00f3n matematica que se ajusta al modelo se obtiene la distribucion de la densidad de estados superficiales, tanto en energia como en pos<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0  Pelaez Carranza Rosa M. <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Valladolid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 31\/05\/2000<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Salvador Due\u00f1as Carazo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal:  Bailon vega Luis alberto <\/li>\n<li>Juan  Antonio L\u00f3pez villanueva (vocal)<\/li>\n<li> Martil de la plaza ignacio (vocal)<\/li>\n<li>tom\u00e1s Gonz\u00e1lez s\u00e1nchez (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Pelaez Carranza Rosa M. 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