{"id":87557,"date":"2018-03-10T00:12:21","date_gmt":"2018-03-10T00:12:21","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-y-caracterizacion-de-nitruros-del-grupo-iii-sobre-si111-por-epitaxia-de-haces-moleculares\/"},"modified":"2018-03-10T00:12:21","modified_gmt":"2018-03-10T00:12:21","slug":"crecimiento-y-caracterizacion-de-nitruros-del-grupo-iii-sobre-si111-por-epitaxia-de-haces-moleculares","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/crecimiento-y-caracterizacion-de-nitruros-del-grupo-iii-sobre-si111-por-epitaxia-de-haces-moleculares\/","title":{"rendered":"Crecimiento y caracterizaci\u00f3n de nitruros del grupo iii sobre si(111) por epitaxia de haces moleculares."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Miguel \u00e1ngel S\u00e1nchez Garc\u00eda <\/strong><\/h2>\n<p>Los nitruros del grupo iii (gan, aln, inn) han sido considerados durante muchos a\u00f1os como semiconductores ideales para la fabricaci\u00f3nde dispotivios optoelectr\u00f3nicos que funcionen en el margen azul-ultravioleta (uv). La posibilidad de sintetizar los distintos compuestos ternarios, hacen que estas aleaciones de gap directo cubran un amplio espectro de energ\u00edas, desde los 1,9 ev (rojo) del inn, pasando por 3,4 ev (uvb) del gan, hasta los 6,2 ev (uvc) del ain. El principal objetivo de esta tesis ha sido el crecimiento de nitruros del grupo iii (gan, aln y alx ga1-1n) por epitaxia de haces moleculares (mbe) asistido por plasma de nitr\u00f3geno, utilizando substratos de si en la direcci\u00f3n (111).  la raz\u00f3n del flujos moleculares de los elementos iii (ga, al) y v (n) utilizada durante el crecimiento es el par\u00e1metro m\u00e1s cr\u00edtico que controla la morfolog\u00eda de la capa crecida as\u00ed como sus propiedades \u00f3pticas y el\u00e9ctricas. un estudio del valor de dicha raz\u00f3n confirma que razones iii\/v con exceso de nitr\u00f3geno (iii\/v &lt;&lt; 1) da lugar a un crecimiento da lugar a un crecimiento de microcristales columnares, mientras que con razones ligeramente ricas en ga (iii\/v&gt;1) se obtienen capas compactas. Las capas de gan con mejor calidad cristalina son crecidas utilizando una capa intermedia (buffer) de aln y un crecimiento en dos etapas: un inicio con una velocidad muy lenta (0,008um\/h) para luego continuar con una velocidad t\u00edpica de 0,48 um\/h.  el dopado tipo-n de las capas de gan y algan se obtiene utilizando si, alcanzando niveles por encima de 10 19 cm-3. El dopado tipo-p se analiza con be, mg y c. De los tres aceptores, el be resulta ser la especie aceptora con menor energ\u00eda de activaci\u00f3n (90 mev) seg\u00fan las medidas \u00f3pticas. No se puede medir una conductividad el\u00e9ctrica tipo-p debido a problemas de solubilidad del be en el gan y a la posibilidad de que exista un fen\u00f3meno de autocompensaci\u00f3n al formarse be intersticial, que act\u00faa c<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento y caracterizaci\u00f3n de nitruros del grupo iii sobre si(111) por epitaxia de haces moleculares.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento y caracterizaci\u00f3n de nitruros del grupo iii sobre si(111) por epitaxia de haces moleculares. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Miguel \u00e1ngel S\u00e1nchez Garc\u00eda <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 27\/11\/2000<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Enrique Calleja Pardo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: el\u00edas Mu\u00f1oz merino <\/li>\n<li>james Speck (vocal)<\/li>\n<li>Manuel Elices calafat (vocal)<\/li>\n<li>klaus Ploog (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Miguel \u00e1ngel S\u00e1nchez Garc\u00eda Los nitruros del grupo iii (gan, aln, inn) han sido considerados durante muchos 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