{"id":89159,"date":"2001-05-03T00:00:00","date_gmt":"2001-05-03T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/estudio-morfologico-y-estructural-del-crecimiento-epitaxial-de-capas-de-si-y-si1-y-cy\/"},"modified":"2001-05-03T00:00:00","modified_gmt":"2001-05-03T00:00:00","slug":"estudio-morfologico-y-estructural-del-crecimiento-epitaxial-de-capas-de-si-y-si1-y-cy","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/fisica\/estudio-morfologico-y-estructural-del-crecimiento-epitaxial-de-capas-de-si-y-si1-y-cy\/","title":{"rendered":"Estudio morfol\u00f3gico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de si y si1-y cy"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong>  El Felk Drioui Zakia <\/strong><\/h2>\n<p>En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de si(001) y capas pseudom\u00f3rficas de si1-ycy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento v\u00eda deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase vapor. La temepratura m\u00ednima de epitaxia de las capas de si ha sido del orden de 600\u00c2\u00bac. Dependiendo de los flujos y la temperatura se ha observado la formaci\u00f3n de micromaclas a lo largo de la direcci\u00f3n (111).Tambi\u00e9n se ha efectuado el crecimiento de las aleaciones mediante epitaxia en fase s\u00f3lida utilizando una dosis de implantaci\u00f3n de carbono elevadas. La implantaci\u00f3n i\u00f3nica de si en substrtao de si (180 kev, 5&#215;10 ion\/cm2) ha resultado en la formaci\u00f3n de una capa enterrada de silicio amorfo. Las muestras recogidas a temperaturas de 650\u00c2\u00bac, han crecido pseudomorficamente, con la presencia de m\u00e1ximos de interferencia en la zona de bajos \u00e1ngulos con respecto al pico del substrato. Estos m\u00e1ximos son consecuenica de las zonas con esfuerzos de compresi\u00f3n y de fen\u00f3menos de inteferencia entre las distintas zonas. La implantaci\u00f3n de c se ha efectuado a 40 kev y 9&#215;10 ion\/cm2; bajo estas condiciones se ha conseguido el crecimiento epitaxial en fase s\u00f3lida de aleaciones de si1-ycy a temperaturas bajas de 450\u00c2\u00bac. A pesar de la elevada cantidad de carbono introducido, los resultados obtenidos muestran incorporacion substitucionales del orden de 0.3-0.4%. la baja incorporaci\u00f3n de carbono esta relacionada con la presencia de intersticiales de si en exceso. Los intersticiales generados act\u00faan como trampas para los \u00e1tomos de carbono formando complejos si-c. La formaci\u00f3n de estos complejos reduce el estr\u00e9s asociado y limita la cantidad de c substitucional en el sistema. Un estudio detallado a trav\u00e9s del ajsute de las curvas rockin mediante teor\u00eda din\u00e1mica de rayos x, ha permitido una estimaci\u00f3n de los espesores de las capas, la composici\u00f3n y otros par\u00e1metros estructurales de los perfi<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Estudio morfol\u00f3gico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de si y si1-y cy<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Estudio morfol\u00f3gico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de si y si1-y cy <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0  El Felk Drioui Zakia <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Aut\u00f3noma de barcelona<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 05\/03\/2001<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Javier Rodriguez Viejo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal:  Mora azanar m. teresa <\/li>\n<li>salvador Mart\u00ednez (vocal)<\/li>\n<li>francois Sibieude (vocal)<\/li>\n<li>Javier Mu\u00f1os Francisco (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de El Felk Drioui Zakia En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio 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