{"id":93349,"date":"2018-03-11T10:12:43","date_gmt":"2018-03-11T10:12:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/desarrollo-de-tecnicas-de-caracterizacion-para-materiales-de-banda-intermedia\/"},"modified":"2018-03-11T10:12:43","modified_gmt":"2018-03-11T10:12:43","slug":"desarrollo-de-tecnicas-de-caracterizacion-para-materiales-de-banda-intermedia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/dispositivos-semiconductores\/desarrollo-de-tecnicas-de-caracterizacion-para-materiales-de-banda-intermedia\/","title":{"rendered":"Desarrollo de t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n para materiales de banda intermedia"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Enrique C\u00e1novas D\u00edaz <\/strong><\/h2>\n<p>El t\u00e9rmino material de banda intermedia (ib) hace referencia a un material semiconductor que, difiriendo de los semiconductores convencionales definidos por una \u00fanica banda prohibida, posee una banda electr\u00f3nica extra localizada entre la banda de Valencia (vb) y la banda de conducci\u00f3n (cb). De esta manera, este material estar\u00eda definido por dos bandas prohibidas, posibilitando que fen\u00f3menos de generaci\u00f3n y recombinaci\u00f3n de portadores se produzcan no solo entre la vb y la cb sino tambi\u00e9n entre la vb y la ib, y entre la ib y la cb.  Los materiales de banda intermedia (ib) han sido propuestos con la finalidad de ser empleados en los dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia denominados c\u00e9lulas solares de banda intermedia  (ibscs).  hasta la fecha, b\u00e1sicamente existen dos aproximaciones que han sido realizadas en la pr\u00e1ctica para la obtenci\u00f3n de materiales ib, mediante puntos cu\u00e1nticos (qds) y mediante aleaciones altamente desajustadas en electronegatividades (hmas) explicadas a trav\u00e9s del modelo bac (band anticrossing model). En esta tesis se ha tratado el sistema punto\/barrera de inas\/gaas para la aproximaci\u00f3n mediante nano-estructuras y el sistema gaasn (propuesto por el grupo del profesor w. Walukiewicz del lbnl) para la aproximaci\u00f3n mediante hmas. La aproximaci\u00f3n mediante qds ha servido para demostrar alguno de los principios de la teor\u00eda como la coexistencia de tres pseudo-niveles de fermi, y la extracci\u00f3n de fotocorriente de la transici\u00f3n ib-cb a trav\u00e9s de iluminaci\u00f3n con fotones solo capaz de promocionar portadores a trav\u00e9s de la ib. El modelo bac ha explicado adecuadamente la dependencia con la composici\u00f3n y presi\u00f3n de las bandas de energ\u00eda, y efectos relacionados como el aumento de la masa efectiva y la mejora de la eficiencia de activaci\u00f3n de donores en hmas. este trabajo trat\u00f3 de evaluar, por primera vez, las se\u00f1ales experimentales propias de materiales ib aislados (no ibscs). Esto es lo que diferencia este trabajo de otros que le precedieron. esta tesis doctoral presenta el trabajo desarrollado en lo referente al desarrollo de t\u00e9cnicas de espectroscopia y su aplicaci\u00f3n para la caracterizaci\u00f3n de materiales ib. Especial \u00e9nfasis se hace en la descripci\u00f3n de las denominadas t\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n  (desarrolladas en el ies), as\u00ed como para los dispositivos ideados y fabricados con el prop\u00f3sito de analizar propiedades \u00f3pticas y el\u00e9ctricas de los materiales ib. los resultados experimentales, obtenidos para la aproximaci\u00f3n a materiales ib mediante nano-estructuras, fueron empleados para dirimir el diagrama de bandas para el sistema inas\/gaas ib-qd, as\u00ed como el de describir algunas de sus propiedades \u00f3pticas y el\u00e9ctricas. Mediante medidas de modulaci\u00f3n apoyadas por medidas de luminiscencia se ha observado la formaci\u00f3n de varias bandas  (frente a niveles discretos) entre la vb y la cb. Por otro lado, se ha medido un pobre coeficiente de absorci\u00f3n  para la ib lo que dificulta la implementaci\u00f3n pr\u00e1ctica del dispositivo sin t\u00e9cnicas de atrapamiento de luz.  para los sistemas basados en la inserci\u00f3n de impurezas si:ti, gap:ti e ingan:mn, los resultados experimentales no son concluyentes sobre la naturaleza (o no) de banda intermedia de los mismos. Para el caso de la aleaci\u00f3n gaas1-xnx se hace un extenso an\u00e1lisis. El modelo bac representa adecuadamente los resultados experimentales obtenidos. No obstante, medidas de fotorreflectancia y transmisi\u00f3n no fueron suficientes para evidenciar la existencia de la transici\u00f3n de la ib a la cb. Por otro lado, la eficiencia \u00f3ptima (en funci\u00f3n de la concetraci\u00f3n de n) para ibscs basadas en iii-n-v hmas fue analizada te\u00f3ricamente. Peque\u00f1as diluciones de nitr\u00f3geno resultan en eficiencias por encima del 60% para la mayor\u00eda de los casos analizados . aunque no son concluyentes, los resultados presentados (dentro del marco de las t\u00e9cnicas empleadas en este trabajo) sugieren la no naturaleza ib de los materiales analizados.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Desarrollo de t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n para materiales de banda intermedia<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Desarrollo de t\u00e9cnicas de caracterizaci\u00f3n para materiales de banda intermedia <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Enrique C\u00e1novas D\u00edaz <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 18\/05\/2009<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Antonio Mart\u00ed Vega<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Antonio Luque l\u00f3pez <\/li>\n<li>germ\u00e1n Gonz\u00e1lez d\u00edaz (vocal)<\/li>\n<li>Fernando Briones fernandez pola (vocal)<\/li>\n<li>charles thomas Foxon (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Enrique C\u00e1novas D\u00edaz El t\u00e9rmino material de banda intermedia (ib) hace referencia a un material semiconductor que, 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