{"id":93847,"date":"2009-09-06T00:00:00","date_gmt":"2009-09-06T00:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/desarrollo-de-herramientas-para-la-simulacion-de-transistores-mosfet\/"},"modified":"2009-09-06T00:00:00","modified_gmt":"2009-09-06T00:00:00","slug":"desarrollo-de-herramientas-para-la-simulacion-de-transistores-mosfet","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/santiago-de-compostela\/desarrollo-de-herramientas-para-la-simulacion-de-transistores-mosfet\/","title":{"rendered":"Desarrollo de herramientas para la simulaci\u00f3n de transistores mosfet"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Manuel Antonio Aldegunde Rodr\u00edguez <\/strong><\/h2>\n<p>Este proxecto de tese enmarcase no dese\u00f1o de ferramentas para a simulaci\u00f3n de dispositivos semiconductores. O uso destas no desenvolvemento de novos procesos e\/ou dispositivos electr\u00f3nicos pres\u00e9ntase actualmente como unha alternativa eficiente \u00f3s m\u00e9todos tradicionais, baseados na aproximaci\u00f3n experimental. Un problema com\u00fan a todos os simuladores de procesos, dispositivos e circuitos \u00e9 o elevado tempo computacional que requiren, cuxo orixe est\u00e1 no elevado n\u00famero de datos a procesar (sobre todo no tratamento de problemas tridimensionais) e na lentitude das t\u00e9cnicas num\u00e9ricas empregadas na resoluci\u00f3n dos sistemas de ecuaci\u00f3ns. Realizaremos unha extensi\u00f3n e mellora das caracter\u00edsticas do simulador 3d de dispositivos semiconductores que permita simular novos dispositivos. Para poder realizar isto v\u00e1monos centrar en dous aspectos: o primeiro consiste na mellora da calidade das mallas de elementos finitos que se empregan na simulaci\u00f3n. En segundo lugar introduciremos as ecuaci\u00f3ns necesarias para poder simular de forma precisa novos dispositivos. Isto incl\u00fae a extensi\u00f3n do modelo arrastre difusi\u00f3n actual con ecuaci\u00f3ns que aproximen efectos cu\u00e1nticos, a adaptaci\u00f3n do c\u00f3digo para a inclusi\u00f3n de efectos da natureza atom\u00edstica da materia e a implementaci\u00f3n de ecuaci\u00f3ns de transporte m\u00e1is avanzadas que sexan capaces de simular de forma precisa novos dispositivos. Ademais vaise extender o simulador para permitir analizar transistores con xeometr\u00edas non rectangulares as\u00ed como novos materiais<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Desarrollo de herramientas para la simulaci\u00f3n de transistores mosfet<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Desarrollo de herramientas para la simulaci\u00f3n de transistores mosfet <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Manuel Antonio Aldegunde Rodr\u00edguez <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Santiago de compostela<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 09\/06\/2009<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Antonio Garcia Loureiro<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: Francisco Gamiz p\u00e9rez <\/li>\n<li>karol Kalna (vocal)<\/li>\n<li>tom\u00e1s Gonz\u00e1lez s\u00e1nchez (vocal)<\/li>\n<li>Andr\u00e9s Godoy medina (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Manuel Antonio Aldegunde Rodr\u00edguez Este proxecto de tese enmarcase no dese\u00f1o de ferramentas para a simulaci\u00f3n de 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