{"id":94034,"date":"2018-03-11T10:13:37","date_gmt":"2018-03-11T10:13:37","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/formation-of-ordered-iii-v-semiconductor-nanostructures-by-different-technological-approaches\/"},"modified":"2018-03-11T10:13:37","modified_gmt":"2018-03-11T10:13:37","slug":"formation-of-ordered-iii-v-semiconductor-nanostructures-by-different-technological-approaches","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/formation-of-ordered-iii-v-semiconductor-nanostructures-by-different-technological-approaches\/","title":{"rendered":"Formation of ordered iii-v semiconductor nanostructures by different technological approaches."},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Pablo Alonso Gonzalez <\/strong><\/h2>\n<p>La formaci\u00f3n de nanoestructuras semiconductoras iii-v con control en forma, tama\u00f1o,  densidad y localizaci\u00f3n espacial es fundamental para desarrollar con \u00e9xito dispositivos cu\u00e1nticos  avanzados, en los que es necesario ubicar una nanoestructura emisora de luz en el m\u00e1ximo del  campo electromagn\u00e9tico de una microcavidad \u00f3ptica. Debido a su car\u00e1cter aleatorio, las t\u00e9cnicas  de auto-ensamblado no permiten obtener un control preciso de estas propiedades en  nanoestructuras semiconductoras. Mediante esta t\u00e9cnica de crecimiento se obtienen  nanoestructuras que normalmente presentan una cierta relaci\u00f3n densidad-tama\u00f1o prefijada a la  vez que se forman con una distribuci\u00f3n espacial aleatoria. Una estrategia bastante com\u00fan para  superar estos inconvenientes inherentes al proceso de formaci\u00f3n espont\u00e1nea de puntos  cu\u00e1nticos es el crecimiento de en substratos previamente grabados.   en este contexto, el trabajo que se presenta en esta memoria aborda tres procesos tecnol\u00f3gicos  distintos que, mediante el  uso de t\u00e9cnicas de pregrabado  ex situ y t\u00e9cnicas espec\u00edficas de  crecimiento in situ, permiten dise\u00f1ar nuevas nanoestructuras semiconductoras con cierto control  en sus propiedades de emisi\u00f3n, densidad, composici\u00f3n y localizaci\u00f3n espacial.    la primera t\u00e9cnica desarrollada y presentada en este trabajo se basa en la formaci\u00f3n de  una m\u00e1scara de al\u00famina porosa obtenida a partir de la anodizaci\u00f3n electroqu\u00edmica de una capa  epitaxial de aluminio crecida  sobre un substrato de gaas  (001). Continuando el proceso  electroqu\u00edmico en el substrato semiconductor se ha conseguido fabricar un patr\u00f3n de  nanoagujeros en \u00e1rea extensa.   en una segunda aproximaci\u00f3n tecnol\u00f3gica se han utilizado m\u00e1scaras previamente  fabricadas por litograf\u00eda de interferencia l\u00e1ser con el objetivo de transferir su dise\u00f1o ordenado al  substrato semiconductor y as\u00ed poder obtener distribuciones ordenadas de puntos cu\u00e1nticos de  inas. En el contexto de esta aproximaci\u00f3n se ha desarrollado un sistema experimental para la  oxidaci\u00f3n selectiva de substratos de gaas (001) e inp (001) que ha permitido la formaci\u00f3n de  puntos cu\u00e1nticos ordenados de alta calidad \u00f3ptica.    como \u00faltima aproximaci\u00f3n tecnol\u00f3gica se ha utilizado una novedosa t\u00e9cnica de grabado  in situ (dentro de la campana de crecimiento) basada en la t\u00e9cnica de crecimiento por epitaxia de  gotas (del ingl\u00e9s droplet epitaxy) que permite la formaci\u00f3n de distribuciones de nanoagujeros de  baja densidad (2&#215;10 8  cm-2 ) sobre substratos de gaas (001) e inp (001). Una vez formados los  nanoagujeros, estos son utilizados como centros de nucleaci\u00f3n selectiva de inas para la  formaci\u00f3n de puntos cu\u00e1nticos de baja densidad con control en tama\u00f1o y el dise\u00f1o de mol\u00e9culas  de puntos cu\u00e1nticos en configuraci\u00f3n lateral y vertical. Tambi\u00e9n, mediante el uso de antimonio en  el proceso de grabado de los nanoagujeros se ha conseguido la formaci\u00f3n de anillos cu\u00e1nticos  de ga(as)sb sobre substratos de gaas (001).  finalmente, el proceso de crecimento a baja  temperatura desarrollado para cubrir estas  nanoestructuras de baja densidad ha permitido mantener su morfolog\u00eda en forma de mont\u00edculo  superficial permitiendo su localizaci\u00f3n final.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Formation of ordered iii-v semiconductor nanostructures by different technological approaches.<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Formation of ordered iii-v semiconductor nanostructures by different technological approaches. <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Pablo Alonso Gonzalez <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Aut\u00f3noma de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 15\/06\/2009<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Luisa Gonz\u00e1lez Sotos<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: fernando Briones fernandez pola <\/li>\n<li>sergio Molina rubio (vocal)<\/li>\n<li>Juan  Manuel Rojo alaminos (vocal)<\/li>\n<li>Ana Ruiz y ruiz de gopegui (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Pablo Alonso Gonzalez La formaci\u00f3n de nanoestructuras semiconductoras iii-v con control en forma, tama\u00f1o, densidad y localizaci\u00f3n 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