{"id":95362,"date":"2018-03-11T10:15:19","date_gmt":"2018-03-11T10:15:19","guid":{"rendered":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/sin-categoria\/crecimiento-de-nitruros-del-grupo-iii-por-epitaxia-de-haces-moleculares-para-la-fabricacion-de-diodos-electroluminiscentes-en-el-rango-visible-ultravioleta\/"},"modified":"2018-03-11T10:15:19","modified_gmt":"2018-03-11T10:15:19","slug":"crecimiento-de-nitruros-del-grupo-iii-por-epitaxia-de-haces-moleculares-para-la-fabricacion-de-diodos-electroluminiscentes-en-el-rango-visible-ultravioleta","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.deberes.net\/tesis\/dispositivos-semiconductores\/crecimiento-de-nitruros-del-grupo-iii-por-epitaxia-de-haces-moleculares-para-la-fabricacion-de-diodos-electroluminiscentes-en-el-rango-visible-ultravioleta\/","title":{"rendered":"Crecimiento de nitruros del grupo iii por epitaxia de haces moleculares para la fabricaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta"},"content":{"rendered":"<h2>Tesis doctoral de <strong> Sergio Fern\u00e1ndez Garrido <\/strong><\/h2>\n<p>En esta memoria se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (pa-mbe) de compuestos (0001) iii-n. Su estudio viene motivado por la necesidad de mejorar las prestaciones de los diodos electroluminiscentes (led) con emisi\u00f3n en el rango visible-ultravioleta para su aplicaci\u00f3n en sistemas de iluminaci\u00f3n con luz blanca, sistemas de se\u00f1alizaci\u00f3n, dispositivos de almacenamiento \u00f3ptico de alta densidad y sistemas de esterilizaci\u00f3n.   los modos de crecimiento y la morfolog\u00eda del (0001) gan se analizaron en funci\u00f3n de la temperatura del sustrato y de la relaci\u00f3n de flujos ga\/n. Los resultados evidencian tres modos de crecimiento: tridimensional (3d), capa a capa (2d) y por corrimiento de escalones (1d). Las condiciones de crecimiento que dan lugar a cada uno de estos modos se resumieron en un diagrama universal para el crecimiento de (0001) gan por pa-mbe.   la morfolog\u00eda y composici\u00f3n del ternario (0001) inaln fueron analizadas en funci\u00f3n de la relaci\u00f3n de flujos y de la temperatura del sustrato. De manera an\u00e1loga al gan, los resultados obtenidos se emplearon para construir un diagrama universal de crecimiento. La obtenci\u00f3n de capas de inxal1-xn con x ~ 0.17 abri\u00f3 las puertas a la fabricaci\u00f3n de espejos bragg (dbr) de inaln\/gan con ajuste en red centrados a ~ 400 nm y con reflectividades de hasta un 60 % para un total de 10 per\u00edodos.   el an\u00e1lisis presentado en esta memoria acerca de la incorporaci\u00f3n de in en (0001) inalgan en funci\u00f3n de la temperatura del sustrato y la relaci\u00f3n de flujos al\/ga muestra que la incorporaci\u00f3n de in disminuye con ambos par\u00e1metros. La calidad cristalina de las capas de inalgan result\u00f3 ser comparable a la de los sustratos de gan\/zafiro empleados para su crecimiento. El estudio de sus propiedades \u00f3pticas, mediante fotololuminiscencia (pl) y espectroscop\u00eda de absorci\u00f3n, revel\u00f3 la presencia de fen\u00f3menos de localizaci\u00f3n excit\u00f3nica causados por fluctuaciones de composici\u00f3n. Para un contenido de in fijo, estos fen\u00f3menos resultaron ser tanto m\u00e1s notables cuanto mayor fue el contenido de al. Debido a que la localizaci\u00f3n excit\u00f3nica reduce la probabilidad de recombinaci\u00f3n no radiativa, los resultados sugieren que el cuaternario inalgan puede ser empleado para mejorar la eficiencia de los led de emisi\u00f3n ultravioleta.   la optimizaci\u00f3n del crecimiento de los distintos compuestos iii-n permiti\u00f3 la fabricaci\u00f3n de led con pozos cu\u00e1nticos (qw). Variando la composici\u00f3n y el espesor de los qw se consiguieron led con emisiones a 355 y 400 nm.  con objeto de fabricar en un futuro matrices de nano-led se analizaron el crecimiento y las propiedades de las nanocolumnas (nc) de (0001) (al)gan. La optimizaci\u00f3n de su crecimiento auto-ensamblado, sobre sustratos de si (111), hizo posible la fabricaci\u00f3n de discos cu\u00e1nticos (qdisk) de gan embebidos en nc de algan. Las propiedades de estos sistemas fueron estudiadas mediante pl en funci\u00f3n del espesor de los qdisk y del contenido de al de las nc y barreras. Para finalizar, se propone un modelo te\u00f3rico para explicar el crecimiento auto-ensamblado de nc de iii-n sobre si(111).<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Datos acad\u00e9micos de la tesis doctoral \u00ab<strong>Crecimiento de nitruros del grupo iii por epitaxia de haces moleculares para la fabricaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta<\/strong>\u00ab<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>T\u00edtulo de la tesis:<\/strong>\u00a0 Crecimiento de nitruros del grupo iii por epitaxia de haces moleculares para la fabricaci\u00f3n de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta <\/li>\n<li><strong>Autor:<\/strong>\u00a0 Sergio Fern\u00e1ndez Garrido <\/li>\n<li><strong>Universidad:<\/strong>\u00a0 Polit\u00e9cnica de Madrid<\/li>\n<li><strong>Fecha de lectura de la tesis:<\/strong>\u00a0 17\/07\/2009<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<h3>Direcci\u00f3n y tribunal<\/h3>\n<ul>\n<li><strong>Director de la tesis<\/strong>\n<ul>\n<li>Enrique Calleja Pardo<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<li><strong>Tribunal<\/strong>\n<ul>\n<li>Presidente del tribunal: el\u00edas Mu\u00f1oa merino <\/li>\n<li>henning Riechert (vocal)<\/li>\n<li>czes\u00c2\u00bfaw Skierbiszewski (vocal)<\/li>\n<li>raul Gago fernandez (vocal)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Tesis doctoral de Sergio Fern\u00e1ndez Garrido En esta memoria se presenta el crecimiento por epitaxia de haces moleculares asistida por 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