Semiconductores amorfos: estudio estructural de la aleacion ge.20 sb.15 se.65

Tesis doctoral de Miguel Mateos Mota

La aleacion ge. 20 sb. 15 se. 65 pertenece al conjunto de aleaciones amorfas que presentan efecto de conmutacion (switching). En estas aleaciones no se ha establecido de forma inequivoca los numeros de coordinacion de los elementos integrantes. La rdf se obtiene a partir de las intensidades de difraccion de rayos x (mo k). Los primeros maximos de densidad atomica estan en posiciones: 2 48 y 3 81 a. El area bajo el primer pico es de 2 67 atomos. La densidad experimental es 4 41 gr/cm3. Se proponen dos modelos teoricos de estructura caracterizados por la presencia de unos de ellos del enlace ge-ge y en el otro el enlace sb-sb; el enlace ge-sb no parece probable se de en esta aleacion. construidos modelos teoricos segun el metodo metropolis-montecarlo se llega a la conclusion de que el mejor ajusta la rdf experimental y las caracteristicas geometricas y de coordinacion es un modelo de fases sepradas (gese2-sh2 se3) mezcla de los dos modelos teoricos.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Semiconductores amorfos: estudio estructural de la aleacion ge.20 sb.15 se.65«

  • Título de la tesis:  Semiconductores amorfos: estudio estructural de la aleacion ge.20 sb.15 se.65
  • Autor:  Miguel Mateos Mota
  • Universidad:  Navarra
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1983

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Francisco Sanz Ruiz
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Diego Ramirez Duro
    • Facundo Sancho Rebullida (vocal)
    • Severino Garcia-blanco Gutierrez (vocal)
    • Carlos Jordana Buticaz (vocal)

 

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