Tesis doctoral de Andres Rodriguez Dominguez
Esta tesis trata sobre el crecimiento epitaxial de capas de sige sobre si con las caracteristicas necesarias para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano (fraccion de ge en el intervalo 0.2<x<0.4, espesor de capa del orden de 20 nm y concentracion de huecos superior a 5×10 cm3) mediante la tecnica de pitaxia en fase solida partiendo de material amorfo en contacto con sustratos de si. El dopado se realizo mediante implantacion de b. La caracterizacion de las capas crecidas se realizo desde el punto de vista estructural y electrico. Mediante microscopia electronica de transmision se caracterizaron los defectos presentes en las capas y su distribucion en profundidad. La difractometria de rayos x permitio determinar el desacoplo de red entre las capas y los sustratos y su grado medio de deformacion elastica, evaluar su calidad cristalografica general y obtener la densidad de b incorporado sustitucionalmente. La espectrometria de iones retrodispersados en la modalidad de haz incidente alineado con los ejes del cristal se utilizo para determinar el grado de deformacion de las capas en funcion de la profundidad. Las medidas basadas en el efecto hall permitieron obtener la concentracion de portadores. El b se incorpora a las capas de forma sustitucional con concentraciones constantes en todo el espesor dopado del orden de 24×1020 cm-3. Como consecuencia se produce una reduccion del desacoplo en red entre la capa de sige y el sustrato, que se manifiesta en mayores espesores de las capas sin defectos y en un mayor grado de coherencia de las mismas. Debido a este efecto ha sido posible crecer capas de sige de x=0.21 dopadas con b y de unos 27 nm de espesor coherentes con el sustrato y totalmente libres de defectos. Estas capas cumplen los requisitos minimos necesarios para la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento de capas dopadas tipo p de sige sobre si mediante epitaxia en fase solida para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano.«
- Título de la tesis: Crecimiento de capas dopadas tipo p de sige sobre si mediante epitaxia en fase solida para su aplicacion en la fabricacion de detectores de infrarrojo lejano.
- Autor: Andres Rodriguez Dominguez
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1997
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Tomas Rodriguez Rodriguez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: José María Ruiz Perez
- Ramon Morante Juan (vocal)
- José Carvalho Soares (vocal)
- Betty Mireya León Fong (vocal)
